일반기술
산소플라즈마를 이용한 강유전체 박막소자의 제조방법
본 발명은 강유전체를 이용한 소자제조시 강유전체 박막표면에 존재하는 산소공핍이나 산소관련 결합을 제거 또는 억제하는 방법에 관한 것으로 간단한 산소 플라즈마 처리 공정으로 피로테스트후에도 우수한 소자특성을 얻을 수 있으며 제품의 신뢰도를 높일 수 있는 기술이다.본 발명은 강유전체를 이용한 소자제조시 강유전체 박막표면에 존재하는 산소공핍이나 산소관련 결합을 제거 또는 억제하는 방법에 관한 것으로 간단한 산소 플라즈마 처리 공정으로 피로테스트후에도 우수한 소자특성을 얻을 수 있으며 제품의 신뢰도를 높일 수 있는 기술이다.본 발명에 의한 산소플라즈마를 이용한 강유전체 박막소자의 제조법은 종래의 열처리 방법에 비해 공정시간이 짧고 초기적 특성뿐만 아니라 피로후에도 우수한 제품특성을 보여 신뢰도 있는 반도체소자를 제조할 수 있는 효과가 있게된다. 본 발명에 의한 산소플라즈마를 이용한 강유전체 박막소자의 제조법은 종래의 열처리 방법에 비해 공정시간이 짧고 초기적 특성뿐만 아니라 피로후에도 우수한 제품특성을 보여 신뢰도 있는 반도체소자를 제조할 수 있는 효과가 있게된다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 고려대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2006-05-11
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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