일반기술

플로린을 함유한 광소자용 폴리아릴렌에테르설폰 또는 폴리아릴렌에테르설파이드 및 그 제조방법

본 발명은 플로린을 함유한 광소자용 설폰 및 설파이드 고분자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 펜타플루오로페닐설파이드 밑 펜타플로오로페닐설폰을 단위체로 하여 디하이드록시 단위체와 축합반응을 통하여 제조한 플로린을 함유한 광소자용 폴리아닐렌에테르설파이드, 폴리아릴렌에테르설폰 및 그의 제조 방법에 관한 것이며 특히, 이들 고분자의 말단에 에티닐 페놀 및 페닐에티닐페놀을 붙임으로서 내용매성등을 현저히 증가시킨 고분자에 관한 것이다.\n이들 고분자는 내열성, 내용매성 및 내수성이 향상되고, 광손실이 매우 낮은 수동공도파로용 고분자이며, 이들의 제조방법은 종래에 비하여 공정이 매우 단순화 된 특징이 있다.본 발명은 열적 안정성은 폴리이미드와 비슷하며 광손실 및 복굴절은 폴리이미드 보다 낮은 플로린을 함유하는 설폰 및 설파이드 고분자를 합성한다. \n플로린을 함유한 고분자는 열적, 화학적 안정이 뛰어나며 낮은 유전율, 낮은 굴절율, 낮은 흡습율등의 \n전자재료로서의 뛰어난 물성을 가진다. \nPAEs는 친핵성 치환 반응에 의하여 합성되는데 고분자량의 고분자를 얻을 수 있고 필요한 단위체를 조합\n할 수 있기 때문에 유리전이 온도, 물성을 조절할 수 있다는 장점을 가진다. \n본 발명은 PAE의 일종인 폴리설파이드 또는 폴리설폰 및 디하이드록시 화합물을 축중합 반응시킴으로서 \n물성이 우수한 본 발명의 플로린을 함유한 폴리아닐렌에테르설파이드 또는 폴리아닐린에테르설폰을 합성\n한다. \n