일반기술

구조를 이용한 광검출기

본 발명은 HEMT 구조를 이용한 광검출기에 관한 것으로서, 더 상세하게는 HEMT 구조의 장벽층을 금속-반도체-금속형 광검출기의 쇼트키 장벽층으로 활용하고 HEMT 구조의 채널층의 일부를 p형으로 도핑하여 광흡수층으로 활용하는 HEMT 구조를 이용한 광검출기에 관한 것이다.본 발명은 반절연 기판 위에 성장되고 도핑되어 있지 않은 버퍼층과, 상기 버퍼층 위에 성장되고 p형으로 도핑되어 있으며, 광신호를 흡수하여 전자 정공쌍을 생성시키고 전달하는 채널층과, 상기 채널층 위에 성장되고 도핑되어 있지 않으며, 광신호를 흡수하여 전자 정공쌍을 생성시키고 전달하는 채널층과, 상기 채널층 위에 성장되고 도핑되어 있지 않으며, 상기 채널층보다 밴드갭 에너지가 큰 물질로 이루어지는 장벽층과, 상기 장벽층 위에 성장되고 n형으로 델타 도핑되어 있으며, 상기 채널층보다 밴드갭 에너지가 큰 물질로 이루어지는 장벽층과, 상기 장벽층 위에 성장되고 도핑되어 있지 않으며, 상기 채널층보다 밴드갭 에너지가 큰 물질로 이루어지는 장벽층을 포함하여 구성된다.