일반기술

광 센서 및 광 센서 제조방법

*기술개요본 발명에 따른 광 센서 및 광 센서 제조방법은 단결정 실리콘 기판의 하부중심부를 이방성 에칭(Etching)하여 20 - 200μm두께를 갖는 실리콘 다이어프램을 형성한 후, 이것을 다시 전기 화학적으로 에칭하여 다공질 실리콘 다이어프램을 수직 원통형 기공구조를 갖도록 제작하고, 다공질 실리콘 다이아프램 상부 및 기판의 하부전면에 캐소드와 애노드전극을 설치하여 가시광 및 자외선을 모두 검출할 수 있도록 한 것이다.본 발명에 따른 광 센서 및 광 센서 제조방법은 단결정 실리콘 기판의 하부중심부를 이방성 에칭(Etching)하여 20 - 200μm두께를 갖는 실리콘 다이어프램을 형성한 후, 이것을 다시 전기 화학적으로 에칭하여 다공질 실리콘 다이어프램을 수직 원통형 기공구조를 갖도록 제작하고, 다공질 실리콘 다이아프램 상부 및 기판의 하부전면에 캐소드와 애노드전극을 설치하여 가시광 및 자외선을 모두 검출할 수 있도록 한 것이다.*기술의 독창성과 중요성광 센서 및 광 센서 활용제품에 맞게 가시관선 및 자외선을 도무 검출할 수 있도록 한 특징을 가지고 있다.*기술의 특징하부의 중심부를 이방성으로 일정한 두께를 가지도록 에칭하여 실리콘 다이아프램이 형성된 기판과 상기 이방성으로 에칭된 기판의 중심부에 위치하고, 상기 기판 상부를 전기화학적으로 에칭하여 수직원통형 기공구조의 다공질 실리콘을 형성한 다공질 실리콘 다이아프램과 상기 다공질 실리콘 다이아프램 상부의 소정영역에 인을 열확산으로 n + 영역을 형성한 제 1 전극과 상기 다공질 실리콘 다이아프램 및 이방성 에칭된 기판하부의 전면에 보론을 주입하여 p + 영역을 형성한 제 2 전극으로 이루어짐을 특징으로 하는 광센서. * 기술제품 분야광센서 활용 제품