일반기술

ｐ형 Ⅲ－Ⅴ족 질화물계 화합물 반도체의 도핑농도 향상방법

*원리 및 구성 본 기술은 화합물 반도체 제조방법에 관한것이며, p형 III-V족 질하물계 화합물 반도체의 도핑농도를 향상시킬 수 있는 기술이다. 자세히 말하면, GaN 화합물 반도체와 같은 III-V족 질화물계 화합물 반도체에 첨가된 p형 불순물을 효과적으로 활성화시킬 수 있는 기술이다. *중요성 및 독창성이 기술이 혁신적인 이유는 예전 기술에서는 열처리 공정으로 높은 도핑 농도를 얻으려고 노력했지만 열처리 시간이 길고 온도가 높기 때문에 효율적이지 못하였다. 하지만, 본 기술은 도핑 농도를 향상시켜 주고 열처리 시간과 온도를 향상시켜 주기 때문에 매우 중요한 기술이다.* 본 기술의 효과1) p형 III-V족 질화물계 화합물 반도체층의 열화를 수반하지 않으면서 열처리 공정에서의 온도와 시간을 더욱더 향상시킬 수 있게 해주는 효과.2) P형 III-V족 질화물계 화합물 반도체층이 산소분위기하의 고온 열처리 단계에서 열화되는 것을 방지해주는 효과3) P형 GaN 화합물 반도체층의 도핑농도를 더욱 향상 할 수 있는 효과4) 네트웍 구조를 가지는 확산방지층의 경우 산소분위기하의 열처리 공정을 통해 전기전도도가 금속의 전기전도도 정도로 향상되는 효과