일반기술

네트웍 구조의 확산방지층을 구비한 화합물 반도체 소자및 그 제조방법

본 기술은 p형 또는 n형 불순물이 도핑된 화합물 반도체층과 Au를 함유하는 프로빙층 사이에 네트웍 구조로 된 확산방지층을 구비한 화합물 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.불순물이 도핑된 화합물 반도체층, 화합물 반도체층 상에 구비된 금속접촉층, 금속접촉층 상에 구비된 확산방지층 및 확산방지층 상에 구비된 Au를 함유하는 프로빙층을 포함하되 확산방지층의 미세구조가 비정질의 매트릭스에 결정립이 분산된 형태를 띠고, 비정질의 매트릭스는 실질적으로 천이금속의 산화물로 이루어지고 결정립은 실질적으로 금속산화물로 이루어진 것을 특징으로 한다.본 화합물 반도체 소자는 Au를 함유하는 프로빙층과 n형 또는 p형 화합물 반도체층 사이에 네트웍 구조의 확산방지층을 구비하고 있어, 고온 환경하에서 사용되더라도 프로빙층에 함유된 Au가 확산방지층의 하부로 열확산되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.본 화합물 반도체 소자 제조 방법은 Au를 함유하는 프로빙층을 형성하기 전에 금속접촉층 상에 네트웍 구조의 확산방지층을 형성하게 되므로, 오믹접촉 또는 쇼트키 접촉을 형성하기 위해 후반부 공정으로 수행하는 고온 열처리 공정에서 프로빙층에 함유된 Au가 확산방지층의 하부로 열확산되는 것을 효과적으로 방지하여 화합물 반도체 소자의 전기적 특성을 열화되지 못하게 한다.