일반기술

반도체공정을 이용한 충격센싱 장치 및 그 제조방법

*개요 및 구성본 기술은 반도체 공정을 이용하는 충격센서에 관한 것이다. 1) 다결정실리콘으로 형성되는 충격 분별장치로써, 2) 중심부분에 형성되는 중심전극과3) 중심전극에서 빔(막대 모양의 빛의 상태)에 의하여 버텨지고, 4) 중심전극을 중심으로 원형으로 배치되는 여러 개의 이동평판 5) 이 사이에 각각 배치되는 여러 개의 고정평판이 있고6) 이동평판은 고정평판 사이에서 떠 있는 상태로 있고, 7) 충격에 의하여 고정평판과 접촉 시 전류가 통하는 것에 의하여 충격을 감지한다.*특징 및 장점1) 여러 개의 이동평판과 고정평판 사이의 전기적 접촉이 생길 시에, 바깥의 충격을 느끼는 것에 의하여, 신뢰성 높은 충격감지가 가능하게 된다. 2) MEMS기술을 이용하는 것으로, xy 평면상에서 어떠한 방향에서의 충격도 정확하게 감지하는 것이 가능하게 된다. 3) 기존의 충격센서에 비하여 상대적으로 매우 소형이기 때문에 충격감지센서를 필요로 하는 공간에 방해되지 않고, 어떠한 위치에도 설치될 수 있는 장점을 가진다. 4) 이동평판과 고정평판 사이의 커패시턴스의 변화를 감지하도록 응용하는 것에 의하여, 연속적인 가속도의 변화를 감지할 수 있는 응용성을 가지는 장점도 있다.*커패시턴스:정전기 용량: 절연된 도체에 전하(電荷)를 줄 때, 전위(電位)를 1 단위만 올리기 위하여 소요되는 전하의 양, 즉 절연된 도체에 전하 e 를 줄 때, 전위가 φ 로 되는 경우의 e /φ 값.