일반기술

횡형 트렌치 전극 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터

*기술 개요본 기술은 기존의 평면상의 전극인 캐소드(Cathode), 애노드(Anode) 그리고 게이트(Gate)를 모두 트렌치 구조로 대처한 횡형 트렌치 전극 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터에 관한 것으로 드리프트 층의 폭은 19㎛로 아주 작게 설계하고 모든 전극을 트렌치 구조로 구성함으로써 횡형 트랜치 전극 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터는 소자 크기가 작음에도 불구하고 소자의 중요한 특성인 래칭 전류밀도 특성, 항복특성 그리고 턴 오프 특성에서 다른 소자에 비해 우수한 성능이 있는 뛰어난 발명인 것이다. *기술의 독창성 및 우수성다른 제품에 비해 횡형 트랜치 전극 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터는 소자 크기가 작음에도 불구하고 소자의 중요한 특성인 래칭 전류밀도 특성, 항복특성 그리고 턴 오프 특성에서 다른 소자에 비해 우수한 성능이 있는 뛰어난 발명인 것이다.*기술의 특징 및 장점산화막으로 형성된 p형 기판이 상부에 변조도가 발생하는 n- 드레프트 영역과 상기 n- 드레프트 영역 상부에 위치한 게이트 전극 캐소드 전극 애노드 전극과 상기 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 턴 온 전압이 발생하는 p+ 애노드 영역 및 n+ 버터 영역과 상기 캐소드전극과 게이트 전극 사이에 n+ 캐소드 영역 및 이중 확산 공정으로 이루어진 p+ 캐소드 영역 또는 p- 베이스 영역으로 형성되어 상기 게이트 전극, 캐소드 전극, 애노드 전극이 트렌치형으로 이루어진 것을 특징으로 하는 횡형 트렌치 전극 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터*제품 활용소자 관련 제품트랜치 전극 절연 게이트 트랜지스터