일반기술

인듐주석산화막 표면개질을 이용한 박막 광전지 및 그 제조방법

* 원리 및 구성 본 기술은 인듐주석산화막 표면 개질을 이용한 박막 광전지 및 그 제조방법에 관한 것으로 유리 기판 상에 인듐주석산화막을 바르고 인듐주석산화막를 이온조사로 표면 처리하여 표면 개질층을 바른다. 표면 개질층에 황화카드뮴을 바르고 n형 반도체인 황화카드뮴에 카드뮴텔루라이드를 발라 이 유리 기판을 염화카드뮴 용액에 침적한 후 열처리 한다. 이 열처리된 카드뮴텔루라이드에 브롬-메타올로 식각한 후 후면전극을 형성하여 박막 광전지를 만든다. * 개발 배경 광전지는 반도체의 p-n 접합의 특성을 이용하여 태양의 빛에너지를 전기에너지로 변환시키는 장치로 지상용 광전지는 주로 박막형이 사용되고 있다. 태양전지의 직렬 저항을 줄이기 위해 전면전극으로 인듐주석산화막을 사용하는데 최근 화학용액증착법으로 형성한 황화카드뮴과 전면전극 인듐주석산화막간의 접합에 관한 연구가 활발히 전개되고 있다.* 중요성 및 독창성 본 기술에 의한 박막 광전지는 병렬 저항을 줄여서 광전지 효율을 크게 향상시키는 데 효과가 있어 반도체 산업에 매우 유용하게 쓰일 것이다.* 적용제품 및 경쟁제품 본 기술은 전면전극인 인듐주석산화막의 표면을 이온조사를 통하여 표면처리하여 표면개질층을 만들어 n형 반도체층인 황화카드뮴과의 접합을 높이고 표면개질을 통하여 표면에너지를 높이고 접촉각을 줄여 인듐주석산화막과 황화카드뮴의 접합성을 높였다. 이로 n형 반도체의 광투과도와 표면평탄도 및 미세 조직의 치밀성을 향상시킬 수 있는 인듐주석산화막 표면 개질을 이용한 박막 광전지를 만들었다.* 주요 적용 제품- 반도체* 특징 및 장점- 균일 핵생성 및 성장한 입자를 현저히 감소시켜서 황화카드뮴의 광투과도를 향상시킨다.- 막을 치밀하게 형성하고 카드뮴/황의 비가 1:1로 되어, 열처리로 인한 금속성 카드뮴 입자의 형성을 줄일 수 있다.- 병렬 저항을 줄여서 광전지 효율을 크게 향상시킬 수 있다.