일반기술

웨이퍼의 연마율을 제어하는 방법 및 이 방법을 수행하는 화학기계적 연마장치

본 발명은 반도체 공정의 소자 평탄화 공정인 화학기계적 연마장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼의 연마율을 제어하는 방법 및 이 방법을 수행하는 화학기계적 연마장치에 관한 것이다.본 발명은 기존의 문제점을 해결하기 위해, 국부적으로 웨이퍼 면의 연마율을 감시 미치 제어가 가능하며, 또한, 웨이퍼 전면에 균일한 압력을 전사 할 수 있음과 동시에, 웨이퍼가 회전 중 미끄럼이 발생하지 않도록 하여 회전력이 정확하게 웨이퍼에 전달될 수 있도록 하는 방법을 제공하고자 함이다. 웨이퍼를 가압하는 방식이 부가적인 기구없이 직접 가압하는 방식을 취하여, 웨이퍼 전면에 균일한 압력을 전사시킬수 있는 효과를 제공한다. 또한 접촉에 의한 오염을 최소화시킬 수 있는 장점이 있다. 본 발명은 웨이퍼의 연마율을 제어하는 방법 및 이 방법을 수행하는 화학기계적 연마장치에 관한 것으로서, 그 방법은 연마부에서 발생되는 적외선을 측정할 수 있는 센서와 그리고 적외선빔을 발생시켜 상기 연마부에 상기 적외선빔을 조사하여 국부적으로 상기 연마부의 온도를 상승시킬 수 있는 온도 제어수단으로서 적외선 발생장치 및 반사 조절장치를 포함하고 있는 온도 제어수단에 의해, 연마 중에 연마되는 연마부의 온도를 측정함과 동시에 연마부의 온도를 제어하여서 웨이퍼의 연마율을 제어하는 것으로 되어 있고; 그리고 그 화학기계적 연마장치는 적외선이 투과될 수 있는 투과창의 상부에 웨이퍼의 온도를 국부적 혹은 전면적으로 측정할 수 있는 적외선 센서인 카메라가 구비되어 있고, 상기 연마헤드의 상부에 제어수단에 의해 적절한 온도를 발생시키는 적외선 발생장치와 상기 제어수단에 의해 적외선을 웨이퍼 면에 국부적으로 주사할 수 있는 반사 조절장치가 구비되어 있는 것을 그 기술적 특징으로 한다.