일반기술

다이버터 구조의 횡형 트렌치 전극 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터

본 발명에서는 기존의 범용 횡형 트렌치 절연 게이트 바이폴라 트렌지스터보다 우수한 래칭 전류밀도와 항복특성을 갖는 p+다이버터구조를 갖는 횡형 트렌치 전극형 IGBT를 제안하였다. 본 발명은 p+다이버터를 갖는 동시에 모든 전극이 트렌치 산화막으로 형성되어, 래칭 전류밀도가 증가하고, 기존의 범용횡형 트렌치 절연 게이트 바이폴라 트렌지스터의 항복전압보다 높은 항복전압을 얻을 수 있다. 본 발명은 p+ 다이버터를 갖는 동시에 모든 전극이 트렌치 산화막으로 형성되어 래칭 전류밀도도 증가하고 기존의 범용 횡형 트렌치 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터의 항복전압보다 높은 항복전압을 얻을 수 있는 다이버터 구조의 횡형트렌치 전극 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터에 관한 것으로 산화막으로 형성된 p형 기판 상부에 n- 드래프트 영역을 형성하여 애노드 전극과 캐소드 사이에는 p+ 다이버터 구조를 형성함으로써 본 발명 p+ 다이버터 구조의 횡형 트렌치전극 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터는 기존의 횡형 트렌치 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 보다 더 높은 전류밀도와 순방향 전압에서 사용할 수 있는 매우 뛰어난 효과가 있다.횡형 트렌치 전극 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터에 있어서, 애노드 전극(1), 캐소드 전극(2) 및 게이트 전극(3)이 모두 트렌치 산화막으로 구성되고, 상기 애노드 전극(1)과 캐소드 전극(2) 사이에 다이버터 구조를 형성한 것을 특징으로 하는 다이버터 구조의 횡형 트렌치 전극 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터. 본 발명은 p+ 다이버터를 갖는 동시에 모든 전극이 트렌치 산화막으로 형성되어 래칭 전류밀도도 증가하고 기존의 범용 횡형 트렌치 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터의 항복전압보다 높은 항복전압을 얻을 수 있는 다이버터 구조의 횡형 트렌치 전극 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터에 관한 것으로 산화막으로 형성된 p형 기판 상부에 n- 드래프트 영역을 형성하여 애노드 전극과 캐소드 사이에는 p+ 다이버터 구조를 형성함으로써 본 발명 p+ 다이버터 구조의 횡형 트렌치 전극 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터는 기존의 횡형 트렌치 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 보다 더 높은 전류밀도와 순방향 전압에서 사용할 수 있는 매우 뛰어난 효과가 있다.