일반기술

횡형 트렌치 전극 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터

*기술개요본 기술은 수평형 트렌치 전극형 이중 채널 에미터 스취치 사이리스터를 제안하였다. 제안된 소자는 소자의 응용에 많은 문제점을 야기시키는 스냅 백현상을 보이지 않고 있으며, 기존의 소자에 비해 넓은 안전동작영역을 갖는다. 제작된 소자를 IC에 응용할 수 있음과 동시에 칩을 구현했을때 시스템의 소형화에도 일익을 담당할 것으로 판단된다. * 특징 독창성횡형 이중 채널 에미터 스위치 사이리스터에 있어서, 게이트 전극, 캐소드 전극, 애노드 전극이 트렌치 산화막 구조로 형성되고, n+ 플로팅 영역이 트렌치 전극사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 횡형 트렌치 전극 이중 채널 에미터 스위치 사이리스터.* 기술의 특징 전압을 높임과 동시에 래칭 전류 밀도를 그대로 유지하면서 스냅-백 현상이 거의 없는 트렌치 전극 구조의 이중 채널 에미터 스위치 사이리스터에 관한 것으로 산화막으로 형성된 p형 기판 상부에 n- 드리프트 층 영역을 형성하고 각각의 캐소드 전극, 게이트 전극, 애노드 전극을 트렌치 형 구조로 형성함으로써 스냅-백 현상이 거의 없고 2차적으로 발생하는 기생사이리스터에 의한 래치 업이 늦게 발생하여 기존의 소자에 비해 넓은 안전동작영역을 갖고 기존의 범용 수평형 에미터 스위치 사이리스터와 달리 높은 내압을 유지하고 전력반도체 산업의 스마트 파워 직접회로로 제작된 소자를 IC에 응용하여 시스템을 소형화할 수 있는 뛰어난 효과가 있다.*제품활용 분야--전력반도체 산업의 스마트 파워 직접회로로 제작된 소자를 IC에 응용하여 시스템을 소형화할 수 있는 뛰어난 효과가 있다.--제작된 소자를 IC에 응용할 수 있음과 동시에 칩을 구현했을때 시스템의 소형화에도 일익을 담당