일반기술

전자회로에서의 저항성에 대한 높은 에너지를 갖은 중이온 복사의 영향과 손상된 구조물에서의 산화 세라믹과 단결정들의 형성.

현재와 미래의 우주와 핵 발전 설비들의 대부분은 제어와 진단을 위해서 단결정과 산화 세라믹을 이용하게 된다. 최근의 실험은 반도체와 절연체의 미세구조적, 거시적 물성들은 이온화와 치환의 비율에 상당히 의존한다. 비록 이러한 민감성과 향상된 이온화의 확산의 기구 그리고 핵에 의한 동력의 정지 효과에 대한 몇 가지 모델들이 제안되었다. 그러나 아직까지는 이러한 영향들은 잘 이해되지 못하고 있는 실정이다. 본 연구는 전자회로 재료들의 미세 구조적인 응답 특성에 대해서 연구한다. 이러한 재료들은 수백 keV/nucleon에서 10 MeV/nucleon까지의 광범위한 복사에너지 하에서 작동하는 차세대 전자 장치(반도체, 세라믹과 산화 재료들)의 제조에 기초를 제공할 것이다. 이러한 연구는 단일 연구로는 수행될 수 없으며 일본, 미국, 이 분야에 있는 러시아의 연구 그룹들과의 공동연구가 요망된다. 이러한 공동 연구를 통해서 복사장의 세기에 따른 산화 세라믹과 단결정의 구조적인 변화의 원리가 규명될 수 있다.현존하는 모델들의 적용가능성을 검토하고 여러 유형의 복사 환경 하에서 반도체와 유전체에서의 손상의 형성에 대한 물리적인 기구를 개발함.