일반기술

다공질 실리콘 다이어프램에 캐리어 주입을 위한 전극구조와 그 제조방법

반도체 재료에서의 큰 발명의 효과로 다가오고 있는 전극구조와 그 제조방법에 대한 기술로서 다공질 실리콘 다이어프램에 캐리어 주입을 위한 전극 구조 및 제조방법에 관한 것으로 단결정 실리콘 기판에 산화막(SiO2)을 성장시키는 단계와, 불필요한 실리콘 기판을 제거하기 위해 벌크 마이크로머시닝 기술을 이용한 이방성 식각을 실시하는 단계와, 산화막 식각 및 인(P) 이온 주입 단계와, 포토레지스터를 스핀 코팅하고 산화막 식각하는 단계와, 보론(B) 이온 주입 단계와, 포토레지스터를 제거하고 활성화하는 단계와, 티타늄(Ti)과 백금(Pt)을 증착하고 리프트 공정을 이용한 패터닝 및 어닐링을 수행하는 단계와, 알루미늄을 증착하고 어닐링하는 단계와, 산화막 식각 후 양극산화반응하는 단계로 이루어지므로써 정공과 전자를 다공질 실리콘 다이어프램에 동시에 주입할 수 있는 수평 구조의 애노드와 캐소드를 형성 기술과 그 제조 방법을 제공하여 다공질 실리콘을 이용한 발광소자와 광센서와 습도 센서 등의 센서 소자를 제작할 수 있는 뛰어난 효과가 있다. 중앙 저면부에 요홈을 형성하고 상기 요홈의 상면에 다공질 실리콘층이 형성된 실리콘 기판과 상기 다공질 실리콘층이 형성된 부분과, 요홈의 좌우 실리콘 기판 상하에 도포되어 적층된 산화막층과 상기 실리콘 기판 하부에 도포된 산화막층에 걸쳐 상기 실리콘 기판의 요홈부 저면까지 오믹접촉되는 알루미늄층과 상기 상측 산화막층에 티타늄/배금 재질로 부착되어 적층되는 금속층과 상기 다공질 실리콘층에 일정 간격을 두고 같은 선상에 매립시킨 N+, P+ 전극 상부에 티타늄/백금 재질의 금속을 부착한 캐소드, 에노드 전극 단자(2, 3)로 구성된 것을 특징으로 하는 다공질 실리콘 다이어프램에 캐리어 주입을 위한 전극 구조로서 앞으로의 반도체 재료에서 큰 호응을 얻을 수 있을 것으로 예상된다.