일반기술

반도체 집적회로 제조 방법

* 원리 및 구성 반도체 회로를 제조할 때, 화학적 기계적 연마 시 구리 배선의 디싱을 감소시키는 방법으로 기판 상에 형성된 절연막에 배선을 할 수 있도록 배선용 홈을 만들고 배선용 홈을 매입하도록 절연막에 구리층을 만들고 염기성의 슬러리를 사용하고 연마패드와 구리층 사이에 전기장을 인가하며 화학적 기계적 연마를 한다. 본 제조 장법의 전기장을 인가하는 단계는 반도체 웨이퍼 뒷면 및 연마패드 뒷면에 구리판을 부착하는 것에 의하고 반도체 웨이퍼와 연마패드 사이에 전해 전류가 흐르지 않기 때문에 전해연마가 일어나지 않는 것이 특징이다.* 개발 배경 반도체 제조 과정 중 절연막 표면 상에 배리어층의 잔류물을 완전히 제거하기 위한 과연마가 행해지면서 디싱이 발생한다. 디싱은 배선 저항 및 접선 저항이 증가하며 전자 이동 경향을 일으킬 우려가 있어 반도체 장치의 신뢰도를 떨어트린다.* 중요성 및 독창성 본 기술은 전기장을 인가하는 공정에 의해 절연막과 구리배선의 선택비를 조절하여 간단하고 효율적으로 디싱을 억제하여 반도체의 신뢰도를 높였다.* 적용제품 및 경쟁제품 본 기술에 따르면 금속과의 연마 선택비에 의하여 디싱 발생을 최소화시킴으로써 반도체 집적회로의 평단화를 향상시킬 수 있다. 또한 매우 정밀한 표면을 필요로 하는 각종 전자부품의 가공분야에서 광학용 창의 표면 각공에 이르기까지 적용이 가능하다.* 주요 적용 제품- 반도체* 특징 및 장점- 반도체 제조 시 디싱을 효과적으로 억제하여 반도체의 신뢰도를 높인다.