일반기술

암전류를 감소시킬 수 있는 광검출 소자의 제조방법

* 원리와 구성 화합물 기판을 제공하는 단계, 화합물 기판상에 N형의 클래딩층, 광흡수층 및 P형의 클래딩층을 순차적으로 성장시키는 단계, P형의 클래딩층, 광흡수층 및 N형의 클래딩층을 소정 부분 패터닝하여 P-I-N층을 한정하는 단계, P-I-N층의 측벽 노출면에 폴리이미드막을 형성하는 단계, 폴리이미드막을 경화시키는 단계, 화합물 기판 및 P-I-N층 상부 각각에 오믹 전극을 형성하는 단계 및 화합물 기판 결과물을 200 내지 1000℃ 온도에서 39 시간 내지 300 시간의 장시간동안 열처리하여 암전류를 개선시키는 단계를 포함한다.* 개발배경메사형 광검출 소자는 평면형에 비하여 p-i-n층(20,20a)이 식각 공정에 의해 공기중에 노출될 수 있으며, 이로 인해 큰 암전류가 발생될 수 있다. 광검출 소자의 암전류는 광검출 소자의 신뢰성을 저하시키고, 잡음을 유발하여 민감도를 저하시킨다.* 중요성및 독창성암전류를 감소시킬 수 있는 메사형 광검출 소자의 제조방법을 제공한다.* 적용제품 및 관련시장암전류를 감소시킬 수 있는 광검출 소자* 주요적용제품암전류를 감소시킬 수 있는 광검출 소자* 특징및 장점화합물 기판상에 N형의 클래딩층, 광흡수층 및 P형의 클래딩층을 순차적으로 성장시킨다음, P형의 클래딩층, 광흡수층 및 N형의 클래딩층을 소정 부분 패터닝하여 P-I-N층을 한정한다. 그후에, P-I-N층의 측벽 노출면에 폴리이미드막을 형성하고, 폴리이미드막을 경화시킨 다음 화합물 기판 및 P-I-N층 상부 각각에 오믹 전극을 형성한다.