일반기술

ＺｒＡｌＯ를 하지층 또는 상지층으로 사용한 다층 구조를지닌 소자

* 본 기술의 원리 및 작용본 기술은 비정질 Zr 및 AlＯ를 하지층 또는 상지층으로 사용한 다층 구조를 포함하는 소자에 관한 것으로, 제조 공정시 기판 상에 형성되는 자기 저항 구조체 등이 안정되게 형성되며, 열처리 등에 의해서 그 성능이 유지될 수 있다.* 본 기술의 배경종래에는 자기저항소자의 하지층 또는 상지층에 일반적으로 탄탈륨(Ta)을 사용하였다. 그러나 제조 과정에서 고온의 열이 가해질 경우에 자기 저항비나 교환결합력 등의 주요 특성이 저하되는 경우가 있었다. * 본 기술의 중요성 및 독창성기존에는 하지층 또는 상지층으로 탄탈륨을 사용하였으나, 본 기술은 Zr 및 AlＯ 합금을 사용하여 고온공정을 거치거나 고온에서 사용되더라도 자기저항비의 주요 특성치가 안정적으로 유지될 수 있다는 데에 본 기술의 우수성이 있다.* 적용 제품 및 경쟁제품본 기술에서 제공하는 소자는 자기저항헤드 뿐만 아니라 MRAM 등 자기저항소자의 전반에 걸쳐 널리 응용시킬 수 있는 구조이다. 또한 다양한 형태의 다층 구조를 지닌 소자에 응용할 수 있다. * 본 기술의 특징 및 장점다층 구조를 지닌 소자의 하지층 또는 상지층으로 비정질 Zr 및 Al 합금을 사용하여 고온 열처리 등의 공정을 거치는 경우에도 MR ratio 값(Magnetoresistance Ratio : 자기 저항비)나 교환결합력 등의 주요 특성이 저하되는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.