일반기술

이온 건 스퍼터링 증착 시스템용 이온 발생자

* 원리 와 구성 표면 이온화로 이온빔을 생성하는 이온 건 스퍼터링 증착 시스템용 이온 발생자로서, 이온 발생자 본체, 이온 발생자 본체의 양측에 마운트되도록 구비되며, 복수개의 관통홀이 수평방향으로 형성되어 있는 제1 및 제2지지대 및 제1 및 제2지지대 사이에 구비되고 고융점 금속으로 이루어진 와이어로, 관통홀을 통해 제1 및 제2지지대 사이를 복수 번 오가도록 직렬로 연결된 와이어를 포함하는 것을 특징으로 한다. * 개발배경최근 들어, 보다 정밀하고 고집적화된 반도체 소자, 보다 대용량의 컴퓨터 하드 디스크 등의 저장매체, 보다 얇고 면적이 넓으며 고화질을 구현할 수 있는 디스플레이 장치 등의 차세대 제품이 요구되어짐에 따라, 물리적 기상증착(Physical Vapor Deposition; 이하, 'PVD')방법 또는 화학적 기상증착(Chemical Vapor Deposition; 이하, 'CVD')방법 등의 박막증착 기술이 한계를 드러내고 있다.* 중요성및 독창성대면적의 박막증착 공정 및 대량 생산체제에 IGSD 시스템을 적용할 수 있게 할 뿐만 아니라, 유지 및 보수의 측면에서도 편리성이 제고된 IGSD 시스템용 이온 발생자를 제공한다.* 적용제품 및 관련시장이온 건 스퍼터링 증착 시스템* 주요적용제품이온 발생자* 특징및 장점이온 건 스퍼터링 증착 시스템용 이온 발생자에 대한 것으로 이온 발생자는, 이온 발생자 본체, 이온 발생자의 양측에 마운트되도록 구비되며 복수개의 관통홀이 수평방향으로 형성되어 있는 제1 및 제2지지대 및 제1 및 제2지지대 사이에 구비되고 고융점 금속으로 이루어진 와이어로, 관통홀을 통해 제1 및 제2지지대 사이를 복수 번 오가도록 직렬로 연결된 와이어를 포함하는 것을 특징으로 한다.