일반기술

Ｔａ, ＣｏＮｂＺｒ 또는 ＺｒＡｌ을 상지층으로 사용한 다층 구조를 지닌 자기 저항 소자

* 본 기술의 원리 및 구성 본 기술은 고온 열처리 등의 공정을 거치는 경우에도 MR 비(Magnetoresistance Ratio : 자기 저항비) 등의 주요 특성이 저하되는 것을 효과적으로 억제할 수 있는 자기 저항 소자 구조체이다. 본 기술의 자기 저항 구조체를 포함하는 자기 저항 소자는, 자기 저항 구조체 상에 만들어지며 5nm 이하, 가능하면 0.5 내지 2nm의 두께를 가지는 상지층을 갖도록 하고, 이 상지층은 Ta, 비정질 ZrxAl1-x(0<x<1) 또는 CoNbZr을 내포하도록 한다. * 본 기술의 배경 종래 자기 저항 소자의 센서부 상부에 상지층을 형성시킨 경우, 센서부의 산화를 방지할 수 있으나, 제조 공정 및 사용 과정에서의 고온 분위기에서 반강자성층에 사용되는 IrMn의 Mn원소가 하부로 확산하기 때문에 자기 저항 소자의 자기 저항비나 교환 결합력이 어느 정도 감소하는 현상이 발생하였다. 이 경우, 자기 저항 소자의 사용중에 자기 정보를 정확하게 감지하지 못하는 경우가 발생된다. 특히, 고밀도의 자기 기록 매체의 경우에는 그 자기 기록 매체로부터 인가되는 자장이 작아지게 되므로, 이같은 문제점이 더욱 심해지게 된다. 이로 인해 본 기술은 자기 저항 소자의 제조시 고온 공정을 거치거나, 사용 환경이 고온이 되더라도 자기 저항비 등의 자기 저항 소자의 주요 특성치의 변화가 없는 안정된 구조를 지니며, 다양한 자기 저항 소자에 응용할 수 있도록 한 것이다. * 본 기술의 중요성 및 독창성 본 기술은 자기 저항 소자의 제조시 고온 공정을 거치거나, 사용 환경이 고온이 되더라도 자기 저항비 등의 자기 저항 소자의 주요 특성치의 변화가 없는 안정된 구조를 지니며, 다양한 자기 저항 소자에 응용할 수 있는 자기 저항 소자 구조체이므로 그 독창성이 있다고 할 수 있다.* 본 기술의 적용제품 및 경쟁제품 초고밀도의 정보 저장 장치에 정보를 기록하는 자기 기록용 헤드, MRAM(Magnetic Random Acess Memory : 자기 메모리), GMR(Giant Magneto Resistance : 거대 자기 저항) 소자 또는 TMR(Tunnel Magneto Resistance : 투과 자기 저항) 소자 등에 널리 사용되고 있다.* 본 기술의 특징 및 장점 본 기술이 기존 기술보다 뛰어난 장점 및 특징은 다음과 같다. 첫째, 고온 공정에서의 발생할 수 있는 자기 저항 구조체 내부의 Mn 원소 등의 확산을 효과적으로 방지할 수 있다. 둘째, MR 비 등의 소자 특성치의 저하를 방지할 수 있다. 셋째, 성능면에서 기존보다 우수한 성능을 지속적으로 유지할 수 있다. 넷째, 자기 저항비 등의 자기 저항 소자의 주요 특성치의 변화가 없는 안정된 구조를 지닌다. 다섯째, 다양한 자기 저항 소자에 응용할 수 있다.