일반기술

자기저항 소자 및 그 제조방법

* 원리 및 구성 반강자성층, 고정층, 터널링 장벽층 및 자유층의 자기저항 구조체를 포함하는 터널링 자기 저항 소자의 장벽층의 조성을 조절하여 MR 특성과 열적 안정성을 향상시킨 터널링 자기저항 소자를 제조하였다. 기판 상에 반강자성층을 만들고 이 위에 자화 방향이 고정된 고정층을, 그 위에 NbxAl1-xOy(0<x<1, 0<y<1) 터널링 장벽층을, 그 위에 자화방향이 변화가능한 자유층을 증착하여 자기 저항 구조체를 제조한다. * 개발 배경 터널링 자기저항 소자 제조 시 MR비는 제 1 강자성층과 제 2강자성층의 스핀방향을 판별하게 해주고 MR비가 높을수록 그 판별이 용이하여 정보기록 및 재생 기능이 우수한 자기저항 소자를 제조할 수 있다. MR비가 높은 소자를 만들기 위해서는 핀홀이 없으며 조도가 낮고 절연특성이 우수한 장벽층을 필요로 한다.* 중요성 및 독창성 본 기술에 의한 이 소자는 기존에 비해 터널링 고온의 열처리 공정 또는 고온의 사용 환경에서 TMR 비가 높으며, 소자 자체의 저항값이 매우 낮아 다양한 범위에서의 응용이 가능하다.* 적용제품 및 경쟁제품 본 자기 저항 소자는 기존의 터널링 자기 저항 소자와 다른 물질을 터널 장벽층에 사용하여, 소자 제조 시의 고온의 열처리 공정 또는 소자의 응용시의 고온 사용환경에서 TMR 비가 높고 안정되게 유지되며, 소자 자체의 저항값이 매우 낮은 자기 저항 소자를 제공할 수 있어, 매우 다양한 범위에서의 응용이 가능하다.* 특징 및 장점- 소자 제조시의 고온의 열처리 공정 또는 소자의 응용시의 고온 사용환경에서 TMR 비가 높고 안정되게 유지된다.- 소자 자체의 저항값이 매우 낮은 자기 저항 소자를 제공할 수 있다.