일반기술

자기저항 소자 및 그 제조방법

*기술에 대한 상세 설명 터널링 자기저항 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 반강자성층, 고정층, 터널링 장벽층 및 자유층의 자기저항 구조체를 포함하는 터널링 자기 저항 소자에 있어서, 상기 터널링 장벽층은 TIXAL1-XOY(0<X<1, 0<Y<1)을 포함하는 것을 특징으로 하는 터널링 자기저항 소자를 제공한다. * 기술의 독창성과 활용도 종래의 터널링 고온의 열처리 공정 또는 고온의 사용환경에서 TMR 비가 높으며, 소자 자체의 저항값이 매우 낮은 자기 저항 소자를 제공할 수 있어, 매우 다양한 범위에서의 응용이 가능하다*기술의 특징 터널링 자기저항 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 장벽층의 조성을 조절하여 MR 특성과 열적 안정성을 향상시킨 터널링 자기저항 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.자기저항 소자는 자기 에너지에 의해 저항이 변하는 원리를 이용한 소자로서 터널링 자기저항 소자의 일반적인 형태를 명시하여 기판(미도시) 상에 반강자성층이 형성되고, 상기 반강자성층 상에 제 1강자성층, 터널 장벽층 및 제 2강자성층이 순차적으로 형성된다. 이와 같은 터널링 자기저항 소자는 제 1강자성층/터널 장벽층/제 2강자성층 구조의 접합에서 강자성층들의 상대적인 자화방향에 따라 터널링 전류가 달라지는 현상인 자기 터널 접합(Magnetic Tunnel Junction) 원리를 이용하는 것이다. 이와 같은 터널링 자기 저항 소자는 자기 저항 헤드 또는 MRAM(Magnetic Random Access Memory) 등의 종류를 포함한다.여기서 제 1강자성층은 반강자성층에 의해 자화 방향이 고정되어 이를 고정층(pinned layer)이라 부르며, 제 2강자성층 는 스핀 배열이 외부의 영향으로 바뀌 수 있으므로 자유층이라 부른다. 의 자화 스핀이 반대방향인 경우 전류를 인가하면 TMR 소자의 높은 자기 저항으로 인해 적은 전류가 장벽층을 통과하여 흐른다. 역으로 고정층과 자유층의 스핀 방향이 동일하면 자기저항이 낮아 많은 전류가 흐른다. *제품 및 활용도소자 관련 제품저항소자 관련 제품* 제품의 특징과 경쟁제품과의 차이 종래의 터널링 고온의 열처리 공정 또는 고온의 사용환경에서 TMR 비가 높으며, 소자 자체의 저항값이 매우 낮은 자기 저항 소자를 제공할 수 있어, 매우 다양한 범위에서의 응용이 가능