일반기술

강유전체 박막 캐패시터 및 그 제조방법

본 기술은 강유전체 박막 캐퍼시터의 구조 및 제조 방법에 관한 것으로, 특히 PRAM용 메모리 소자에 적합하게 피로 특성을 크게 향상시킨 Fb 박막층을 포함한다.PB(ZR,TI)O3(이하, PZT라 한다) 박막과 전극을 포함하여 구성되는 강유전체 박막 캐패시터에 있어서, 강유전체 박막 캐패시터는 상기 PZT 박막과 상기 전극 간의 계면들 중 적어도 어느 하나 이상의 계면에 삽입되는 버퍼를 더 포함하며, 버퍼는 (PB1-XAX)TIO3계(이 때, 0＜X＜1) 조성으로 되고, 이 때 계면에서 휘발하는 PB의 자리를 치환가능한 비휘발성 원소로 되는 것을 특징으로 한다.PB(ZR,TI)O3(이하, PZT라 한다) 강유전체 박막 캐패시터 및 그 제조방법에 관한 것으로서, PZT 박막 캐패시터에 있어서 FRAM용 메모리 소자에 적합하게 피로특성을 크게 향상시켰다. 즉, SI/SIO2 기판 상에 형성되는 TI 접착층, 하부 PT전극, PZT 박막, 상부 PT 전극을 포함하여 구성되는 강유전체 박막 캐패시터의 구조에 있어서, 하부 PT전극과 PZT 박막 간의 계면, 또는 상부 PT 전극과 PZT 박막 간의 계면 중 적어도 어느 하나 이상의 계면에 버퍼를 5 내지 20NM 두께로 삽입하였고, 버퍼조성은 (PB1-XAX)TIO3계(이 때, 0＜X＜1; A는 LA, ND, SB, BI, SR, CA, Y 중의 적어도 어느 하나 이상의 원소)로 하여 강유전체 박막 캐패시터를 제조한 결과, 우수한 피로특성을 나타내었다.