일반기술

세슘을 이용한 금속이온 스퍼터링 챔버

* 원리와 구성 반도체소자를 위한 박막 증착에 있어서 소정의 제1전원이 인가되며 박막증착을 위한 박막재료물질을 구비하고 있는 타게트장치, 소정의 분위기에서 박막재료물질의 이온화를 활성화시키기 위한 세슘을 구비하여 타게트장치로 공급하며 소정의 제2전원이 인가되는 세슘공급장치, 타게트장치로부터 소정거리 이격되고 인가된 소정의 제3전원에 따라 박막재료물질의 활성화를 위한 소정의 활성화물질 입자들의 방출을 제어하며 이온화된 박막재료물질을 통과시키는 메쉬장치 및 메쉬장치로부터 소정거리 이격되고 인가된 소정의 제4전원에 따라 메쉬장치를 통과한 이온화된 박막재료물질을 증착시키기 위한 기판을 지지하는 기판지지장치를 포함하며, 진공의 상태로 박막 증착을 위한 소정 부피의 밀폐 공간상태로 형성되는 것을 특징으로 한다.* 개발배경종래의 스퍼터링장치는 장치내에서 발생된 양이온이 기판에 손상(damage)을 입히기도 하고 일부는 성장시키고자 하는 박막내로 유입되어 중성입자의 형태로 증착됨으로써 박막의 질 및 그 효율성을 떨어뜨리며, 에너지를가지는 입자가 플라즈마를 통과하면서 일부의 에너지를 잃어버리는 문제점이 있다.* 중요성및 독창성세슘(Cs)을 이용하여 박막재료물질을 이온화시킴과 동시에그 에너지를 변화시키고 메쉬 그리드를 이용하여 플라즈마 내의 양이온을 차단시키며, 타게트(target)와 기판(substrate)에 인가된 소정 바이어스를 조절하여 발생된 음이온 박막재료물질의 에너지를 제어함으로써 저온에서 기판상에 고품질의 박막을 증착할 수 있는, 세슘을 이용한 금속이온 스퍼터링 챔버(chamber)에 대한 기술을 제공한다.* 적용제품 및 관련시장반도체 소자* 주요적용제품반도체 소자* 특징및 장점세슘을 이용한 금속이온 스퍼터링 챔버(chamber)는, 세슘(Cs)을 이용하여 박막재료물질의 이온화를 활성화시키고 활성화에 관여한 물질을 차단시키며, 타게트(target)와 기판(substrate)에 인가된 소정 바이어스를 조절하여 발생된 음이온 박막재료물질의 에너지를 제어하는 챔버에 관한 것으로 제1전원이 인가되며 박막재료물질을 구비하고 있는 타게트장치, 소정의 분위기에서 박막재료물질의 이온화를 활성화시키기 위한 세슘을 구비하여 타게트장치로 공급하며 제2전원이 인가되는 세슘공급장치, 제3전원에 따라 박막재료물질의 활성화를 위한 소정의 활성화물질 입자들의 방출을 제어하며 이온화된 박막재료물질을 통과시키는 메쉬장치, 및 제4전원에 따라 메쉬장치를 통과한 이온화된 박막재료물질을 증착시키기 위한 기판을 지지하는 기판지지장치를 포함한다. 따라서 타겟물질을 음이온화 시키는 세슘(Cs)을 이용하여, 소정 바이어스를 조절하여 발생된 음이온의 박막재료물질의 에너지를 제어함으로써 저온에서 기판상에 고품질의 박막을 증착함은 물론, 반도체소자를 위한 거의 모든 박막의 형성에 사용할 수 있다.