일반기술

고충진밀도 패시배이션 글래스기판 유기이엘소자

본 기술은 고충진밀도 패시배이션 글래스기판 유기EL소자는, 충진밀도(PACKING)가 높은 물질을 유기 EL소자의 상부 최외각층에 보호막(또는 보호층, PASSSIVATION LAYER)을 증착시킨 유기EL소자(OELD)에 관한 것이다. 글래스기판(GLASS SUBSTRATE) 상부로부터 순서적으로 형성되어 포함된 양전극층(ANODE), 발광층(EMISSION LAYER;EML), 음전극층(CATHODE)을 각각 주 동작층으로 하며, 이러한 주 동작층 사이에 필요에 따라 전자 및 정공의 작동을 활성화시키는 층들을 부가하고 있는 유기EL소자에 있어서, 기본 물질의 결합구조(NETWORK) 상에서 존재하는 결공(VOID)이나 틈새(INTERSTICE) 등 물질사이에 존재하는 공극을 대체하도록, 단결합강도(SINGLE BOND STRENGTH)가 상대적으로 낮은 값을 갖는 물질 가운데 전기음성도(ELECTRO-NEGATIVITY)와 이온전장강도(ION FIELD STRENGTH)는 각각 높아 공유결합특성(COVALENT BONDING CHARACTERISTIC)이 상대적으로 높게 나타내는 물질을, 실리콘다이옥사이드(SIO2)에 [ 2∼40 %: 98∼60 %]의 비율로, 유기 EL소자의 상부 최외각층에 증착시켜 보호막(PASSSIVATION LAYER)을 형성함으로써,충진밀도를 높여 외부로부터의 산소 및 수분의 침투를 방지하는 것을 특징으로 한다.본 기술은 글래스기판 유기 EL소자를 제작함에 있어, 충진 밀도를 높여 공간이나 틈새를 메워 외부의 산소나 수분의 침투를 근본적으로 차단시킨다.충진밀도의 증가는 유기 EL소자 자체의 동작 특성을 개선시켜 보다 뛰어난 글래스 기판 유기 EL소자를 형성하여 준다.본 기술은 투명성이 뛰어나 글래스기판 유기 EL소자의 상부방사형인 경우나 다른 디스플레이 소자의 제작에도 다양하게 적용이 가능하다.