일반기술
고충진밀도 패시배이션 폴리머기판 유기이엘소자
폴리머기판(POLYMER SUBSTRATE) 상부로부터 순서적으로 형성되어 포함된 양전극층(ANODE), 발광층(EMISSION LAYER;EML), 음전극층(CATHODE)을 각각 주 동작층으로 하며, 이러한 주 동작층 사이에 필요에 따라 전자 및 정공의 작동을 활성화시키는 층들을 부가하고 있는 유기 EL소자에 있어서, 기본 물질의 결합구조(NETWORK) 상에서 존재하는 결공(VOID)이나 틈새(INTERSTICE) 등 물질사이에 존재하는 공극을 대체하도록, 단결합강도(SINGLE BOND STRENGTH)가 상대적으로 낮은 값을 갖는 물질 가운데 전기음성도(ELECTRO-NEGATIVITY)와 이온전장강도(ION FIELD STRENGTH)는 각각 높아 공유결합특성(COVALENT BONDING CHARACTERISTIC)이 상대적으로 높게 나타내는 물질을, 실리콘다이옥사이드(SIO2)에 [ 2∼40 %: 98∼60 %]의 비율로, 폴리머기판(POLYMER SUBSTRATE)의 측면 및 유기 EL소자의 상부 최외각층에 증착시켜 보호막(PASSSIVATION LAYER)을 형성한다.고충진밀도 패시배이션 폴리머기판 유기EL소자는, 단결합강도(SINGLE BOND STRENGTH)가 상대적으로 낮은 값을 갖는 물질 가운데 전기음성도(ELECTRO-NEGATIVITY)와 이온전장강도(ION FIELD STRENGTH)는 각각 높아 공유결합특성(COVALENT BONDING CHARACTERISTIC)이 상대적으로 높게 나타내는 물질을, 실리콘다이옥사이드(SIO2)와 일정비율로 하여, 폴리머기판(POLYMER SUBSTRATE)의 양면 또는 일면에 측면 및 상기 유기 EL소자의 상부 최외각층에 보호막(또는 보호층, PASSSIVATION LAYER)을 증착시킨, 유기EL소자(OELD)에 관한 것이다. 따라서 충진밀도(PACKING DENSITY)를 높여 결공(VOID)이나 틈새(INTERSTICE)를 메워 외부의 산소나 수분의 침투를 근본적으로 차단시키고, 종래 유리재료에 의한 기판(GLASS SUBSTRATE) 대신 폴리머기판(POLYMER SUBSTRATE)을 적용한 폴리머기판 유기EL소자의 형성을 가능하게 함으로써, 폴리머기판 유기EL소자의 상용화를 앞당기는 데 일조할 것으로 예상된다.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 기타 재료
- 보유기관
- 연세대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2006-05-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.