일반기술

플럭스 증대를 통한 고품질 박막증착방법

*원리 및 구성본 기술은 세슘(Cs)의 특성을 살려 반도체의 증착과정에 이용하는 기술이다. 구체적으로는, 반도체 증착공정에서의 플라즈마 밀도와 플럭스를 증대시켜, 이동도(mobility) 특성이 좋은 반도체소자를 제작하고 증착된 박막의 특성을 향상시켜주는 기술이다. 세슘(Cs)이 본 기술에 핵심인 이유는, 기판거치용장치와 타게트(target)에 바이어스(bias)를 인가한 상태에서 타게트를 상부에 세슘(Cs)입자와 증착활성입자를 함께 분산시켜 타케트를 세슘입자로 입히기 때문이다. 이 과정으로 인해 증착활성입자에 대한 이온화의 활성화와 플럭스 증가를 도와주고, 이를 통해 기판(Substrate) 상부를 증착시킬수 있게 되었다.*특징 및 장점우수한 반도체소자를 제작하는 것이 무엇보다도 중요한 시점에서, 본 기술은 다음과 같은 핵심 역할을 해준다. 1) 증착이 완성된 기판은 이동도(mobility)가 높아야 우수한 반도체소자를 제작하는 것이 가능한데, 본 기술은 이러한 이동도를 향상시키기 역할을 한다.2) 세슘(Cs)의 특성을 반도체의 증착과정에 적용함으로써 반도체 증착공정에서의 플라즈마 밀도 및 플럭스를 증대시키기 때문에, 이동도(Mobility) 특성이 좋은 반도체소자 및 기타 박막 증착과 관련된 기반기술로 이용할 때 굉장히 큰 효과를 가지고 온다.