일반기술

산화아연계 나노막대를 이용한 바이오센서 및 이의 제조방법

본 발명은 산화아연계 나노막대를 이용한 바이오센서 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따라 유기금속 화학증착법에 의해 성장된 산화아연계 나노막대를 센서의 감지부에 사용하여 제작된 나노센서는 감지도가 우수하고, 안정적이며 재현성이 뛰어나 항원/항체, 효소/기질, 수용체(receptor)/작동체(effector) 및 효소 저해제 등의 상호작용을 관찰할 수 있을 뿐만 아니라, 다양한 생체 분자들을 검출할 수 있어 생체 분자 수준에서의 유전자 분석 및 질병 진단 등 미래 생명공학 기술에 유리하게 이용될 수 있다본 발명에 따른 바이오센서는 기재 상에 성장된 산화아연계 나노막대를 기재로부터 분리한 다음 절연성 기판 위에 수평으로 배향시키거나, 기재 상에 수직 배향된 산화아연계 나노막대 어레이를 직접 이용하여 제조될 수 있다. 본 발명에서 감지층에 감지물질로서 사용되는 산화아연계 나노막대는, 아연-함유 유기금속 및 산소-함유 기체 또는 산소-함유 유기물을 별개의 라인을 통해 각각 반응기에 주입하고, 운반 기체로는 아르곤 등과 같은 불활성 기체를 사용하여 상기 반응물의 전구체들을 화학반응시키는 것을 특징으로 하는 유기금속 화학증착법에 의해 제조될 수 있다. 본 발명에 있어서, 성장되는 산화아연계 나노막대의 직경, 길이 및 밀도는 성장온도, 압력 및 반응물질의 흐름속도에 따라 다양하게 조절할 수 있고, 센서의 감지도를 향상시키는 동시에 선택적인 감지가 가능하도록 다양한 유기 또는 무기 소재, 예를 들면 Mg, Cd, Ti, Li, Cu, Al, Ni, Y, Ag, Mn, V, Fe, La, Ta, Nb, Ga, In, S, Se, P, As, Co, Cr, B, N, Sb 및 H로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상, 또는 GaN, AlN, InN, GaAs, InP, GaP 또는 이들의 합금 등과 같은 다양한 이종물질을 산화아연에 코팅시킬 수 있다. 본 발명에 따른 산화아연계 나노막대는 금속 촉매를 사용하지 않고 반응 전구체들이 핵생성제로 바로 성장되기 때문에 촉매에 의한 오염이 방지되어 전기적, 광학적 특성이 우수하다.