일반기술

쌍곡면 드럼형 소자와 이온빔 식각을 이용한 이의 제조방법

*원리 및 구성이온빔 식각법을 이용해서 재연성이 있는 쌍곡면 드럼형의 나노구조를 대량으로 제조하는 방법에 관한 것으로, 기판 상에 n형 반도체와 p형 반도체의 접합으로 이루어지며, n형 반도체와 p형 반도체 사이의 경계와 그 부근영역에 활성층을 갖는 에피택시층(epitaxial layer)을 형성하고, 이어서 이온빔 식각법으로 에피택시 층을 상기 활성층에서 최소의 직경을 갖도록 쌍곡면 드럼 형태로 식각함으로써, SAG 방법의 양자점을 사용하지 않고, 기존의 양자우물 (Quantum Well)의 활성층을 수십-수백 ㎚ 크기로 식각하기 때문에 크기의 조절이 용이하며 대량 생산의 재연성을 확보할 수 있다.*개발배경이온빔 식각법을 이용해서 재연성이 있는 쌍곡면 드럼형의 나노구조를 대량으로 제조하는 방법을 제공함에 있다.*중요성 및 독창성나노급의 쌍곡면 드럼형의 구조는 활성층의 크기가 ㎚ 범위이지만 상단의 표면부분은 ㎛ 크기로 확대 조절이 가능하기 때문에 금속 전극을 증착하는 것도 용이하다. 따라서 광펌핑뿐만 아니라 전기적인 펌핑도 가능하다.*응용분야반도체 레이저 즉 나노레이저 등의 제조방법에 응용이 가능하다.*특징 및 장점-쌍곡면 드럼형 소자 제조방법에 의하면, SAG 방법의 양자점을 사용하지 않고, 기존의 양자우물 (Quantum Well)의 활성층을 수십-수백 ㎚ 크기로 식각하기 때문에 크기의 조절이 용이하며 대량 생산의 재연성을 확보할 수 있다.-나노급의 쌍곡면 드럼형의 구조는 활성층의 크기가 ㎚ 범위이지만 상단의 표면부분은 ㎛ 크기로 확대 조절이 가능하기 때문에 금속 전극을 증착하는 것도 용이하다.