일반기술

헤테로접합형 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법

*원리 및 구성헤테로접합형 전계효과 트랜지스터 소자의 제조방법에 관한 것으로, 1)기판상에 비도핑된 GaN 반도체층과 AlGaN 반도체층을 순차적으로 형성하고, 2)결과물을 에칭하여 소자를 분리해내고, 3)이렇게하여 얻어진 결과물상에 포토레지스트막 패턴을 형성한 다음, 이를 이용하여 게이트 전극 물질을 증착하여 게이트 전극을 형성하며, 4)결과물을 표면처리하여 그 결과물상에 포토레지스트막 패턴을 형성한 다음, 이를 이용하여 오믹 전극용 금속을 증착하여 오믹 전극을 형성한다.*개발배경게이트 전극의 정렬도를 향상시키면서 미세화된 패턴 형성이 가능한 AlGaN/GaN HFET 소자의 제조방법을 제공함에 있다.*중요성 및 독창성오믹전극 층의 형성 전에 AlGaN 반도체층 표면을 유도결합 플라스마로 표면 처리함으로써 오믹 전극 형성용 금속의 증착 상태에서 오믹 특성이 얻을 수 있어서 열처리과정이 불필요하다.본 기술의 제조에 따라 형성된 AlGaN/GaN HFET 소자는 최대 트랜스컨덕턴스와 최대 드레인 전류가 모두 우수하여 증폭 능력이 양호하다.*응용기술무선 통신 서비스를 위한 주파수 대역이 점차 고주파화됨에 따라 통신용 소자 제작 공정에 응용가능하다.*특징 및 장점게이트 전극을 오믹 전극 전에 제작하므로 게이트 전극 형성을 위해 실시되었던 오믹전극 사이에 게이트 전극을 정렬해야 하는 어려움을 극복할 수 있다. 따라서 오믹전극에 의해 유발된 기판의 단차를 없앨 수 있으므로, 게이트 전극 형성을 위한 포토리지스트막 패턴을 더욱 미세하게 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 게이트 전극의 정렬도를 향상시키는 효과가 있다.