일반기술

반도체 소자 가공용 가스에서 발생되는 화학응고용 분리 및 가스정제기

실리콘 등으로 이루어지는 반도체 소자 제조에 있어서 실리콘 내부로의 불순물 주입 등의 확산 공정 시 사용되는 가스가 챔버 내의 고온 진공 상태에서 진공 펌프에 의하여 실온 상태로 배기 되어질 때 온도 변화로 인해 발생되는 미립자의 응고물 및 독성을 냉매에 의한 급냉으로 온도 변화를 주어 가스와 분리포집 되도록 하여 챔버 내의 반도체 소자에 유해를 가하거나 외부로 유출되는 것을 방지하도록 되어진 반도체 소자 가공용 가스에서 발생되는 화학 응고물 분리 및 가스정제기이다.실리콘 등으로 이루어지는 반도체 소자 제조에 있어서 실리콘 내부로의 불순물 주입 등의 확산 공정 시 사용되는 가스가 챔버 내의 고온 진공 상태에서 진공 펌프에 의하여 실온 상태로 배기 되어질 때 온도 변화로 인해 발생되는 미립자의 응고물 및 독성을 냉매에 의한 급냉으로 온도 변화를 주어 가스와 분리포집 되도록 하여 챔버 내의 반도체 소자에 유해를 가하거나 외부로 유출되는 것을 방지하도록 되어진 반도체 소자 가공용 가스에서 발생되는 화학 응고물 분리 및 가스정제기이다.