일반기술

반도체 나노구조체를 이용한 샤트키 전극을 포함하는전기소자 및 이의 제조방법

본 발명은 반도체 나노선 또는 나노막대를 이용하여 형성된 샤트키(SCHOTTKY) 전극 구조를 포함하는 전기 소자, 특히 샤트키 다이오드 및 금속/반도체 전계트랜지스터(MESFET), 및 이들을 적절히 배열해서 구성한 로직회로에 관한 것이다. 본 발명에 따르면 미리 형성된 금속 패턴 위에 반도체 나노구조체를 분산시켜 샤트키 컨택(SCHOTTKY CONTACT)을 형성하도록 한 샤트키 전극을 이용함으로써, 정류특성이 우수한 샤트키 다이오드 및 우수한 성능의 금속/반도체 전계트랜지스터(MESFET)를 제작할 수 있으며, 이들 소자들을 이용하여 기존의 방법보다 훨씬 간단한 구조로 로직회로를 구현할 수 있다.기판 상 일부에 위치된 샤트키 컨택(SCHOTTKY CONTACT)용 금속층, 상기 금속층 위에 일부분이 결합된 반도체 나노구조체 및 상기 나노구조체의 다른 일부분 위에 결합된 오믹 컨택(OHMIC CONTACT)용 금속층을 포함하는 금속/반도체 전기 소자에 관한발명으로 본 발명에 따르면 미리 형성된 금속패턴 위에 반도체 나노구조체의 일부분을 위치시켜 샤트키 컨택을 형성하고 상기 반도체 나노구조체의 다른 일부분에 오믹 컨택을 형성함으로써,특성이 우수한 금속/반도체 전기 소자,예를 들면 샤트키 다이오드 및 MESFET를 제작할 수 있으며,이들 소자들로 구성된 로직회로를 기존의 방법보다 훨씬 간단한 구조로 구현할 수 있다.