일반기술
질화물 반도체의 이종접합 구조체, 이를 포함하는나노소자 또는 이의 어레이
*원리 및 개요질화물 반도체의 이종접합 구조체 및 이를 포함하는 나노소자 또는 이들의 어레이에 관한 것이다.*중요성 및 독창성1) 질화물 반도체 박막 위에 수직 성장된 질화물 반도체 나노구조체로 구성됨을 특징으로 하며 나노구조체의 나노접합에 의해 터널링이 쉽게 일어나 발광이 잘 일어나므로 특성이 우수한 발광소자를 구현할 수 있다. 2) 질화갈륨을 이용한 지금까지의 발광소자는 사파이어 기판 위에 질화갈륨 박막이 올라간 구조를 가지고 있어,가격이 비싸고,대량 생산이 어려우며,이들의 효율을 증가시키기 위해 많은 노력이 기울여지고 있다. 따라서,본 기술은 기존의 문제점을 해결하여,터널링이 쉽게 일어나 발광 특성이 우수하여 대량생산이 가능한 새로운 구조의 나노소자를 제공한다.*특징 및 장점1) 박막 형태의 질화물 반도체 위에 수직 성장된 질화물 반도체 나노구조체로 구성되어 있다.2) 질화물 반도체의 박막과 나노구조체는 서로 다른 반도체 유형을 가지며,따라서 본 기술의 반도체 접합체는 p-n형 또는 n-p형의 이종접합체일 수 있다. 3) 질화물 반도체 박막은 기판없이 단결정 형태로 직접 이용될 수도 있고,기판 위에 예를 들면 통상의 유기화학증착법(MOCVD)에 의해 형성시킬 수도 있다. 4) 기판으로는 산화알루미늄(Al 2 O 3 ),실리콘(Si),유리(glass),석영(quartz)또는 실리콘카바이드(SiC)을 사용할 수 있다. 기판을 가열하고 그 위에 상압 이하의 조건에서 질화물의 유기금속 선구체 물질의 증기를 접촉시키는 통상의 유기금속화학증착법에 의해 기판위에 질화물 반도체 박막을 형성할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 포항기술이전센터
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2006-05-18
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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