일반기술

전이 금속의 정공 주입층을 갖는 유기 발광 다이오드 및그 제조방법

*원리 및 개요유리 기판 상에 형성된 양극이 있고, 그 양극 상에 형성된 전이 금속층으로 구성된 정공 주입층이 있으며, 그 정공 주입층 상에 형성된 정공 수송층이 있다. 또한 그 정공 수송층 상에 형성된 발광층 및 그 발광층 상에 형성된 음극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드에 관한 것이다.*중요성 및 독창성1) 본 기술의 유기 발광 다이오드는 유리 기판 상에 양극이 형성되어 있고, 그 양극상에 정공 주입층이 형성되어 있다. 그 양극은 ITO막으로 구성할 수 있다. 2) 정공 주입층은 전이 금속층으로 구성할 수 있으며, 전이 금속층의 예로는 Ir,Ru,V,Rh,Ni 또는 Co을 들 수 있다. 3) 그 정공 주입층 상에는 정공 수송층이 형성되어 있고, 그 정공 수송층 상에는 발광층 및 음극이 순차적으로 형성되어 있다. 4) 그 정공 수송층은 α-NPD로 구성할 수 있고, 위의 발광층은 Alq3로 구성할 수 있으며, 위의 음극은 Al막으로 구성할 수 있다. 5) 위의 양극을 형성한 후 그 양극에 산소 플라즈마 처리를 수행할 수도 있다.*특징 및 장점1) 본 기술의 유기 발광 다이오드는 양극인 ITO막과 정공 수송층인 α-NPD 사이에 일함수가 크고 전도성도우수한 전이 금속막으로 정공 주입층이 형성되어 있다. 2) 본 기술의 유기 발광 다이오드는 정공 주입층에 의해 양극과 정공 수송층 사이의 정공 주입 장벽을 낮추어 줌으로써 턴온 전압 및 작동 전압을 낮추고 전자와 정공의 재결합을 증가시켜 내부 양자 효율을 증가시킬 수 있다.