일반기술

질화물계 반도체의 피형 전극

본 발명은 질화물계 발광다이오드의 P형 전극에 관한 것으로써, 특히 플립칩구조에서 접촉 저항을 감소시키고, 반사율을 향상시킬 수 있는 P형 전극에 관한 것이다. 본 발명에 따른 질화물계 반도체 발광소자의 P형 전극은 접촉저항을 낮추는 전극층과, AG의 확산을 방지하는 확산방지층, 그리고, 반사층(AG)이 순차적으로 적층된 구조를 갖는 것을 특징으로 한다.본 발명의 목적은 접촉저항을 낮추고 반사율을 향상시킬 수 있는 질화물계 반도체 발광소자의 p형 전극을 제공함에 있다.상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 질화물계 반도체 발광소자의 p형 전극은 기판 상에 전극층,확산 방지막층,그리고,반사막층이 순차적으로 적층된 구조를 갖는 다층인 것을 특징으로 한다.일반적인 질화물계 반도체 발광소자는 사파이어 등을 사용한 기판 상에 버퍼층,n형 GaN층,활성층,그리고,p형 GaN층이 순차적으로 적층되어 형성되고,상기 p형 GaN층과 활성층의 일부가 패터닝되어 소정부분 노출된 상기 n형 GaN층과 상기 p형 GaN층 상에 각각 n형 및 p형 전극이 형성된다.본 발명은 Ag를 이용한 플립칩 구조의 질화물계 발광소자의 p형 오믹전극에 관한 것으로 전극층,확산방지막층,그리고 반사막층이 순차적으로 형성되어 p형 반사막 오믹전극)을 완성한다.