일반기술

ｐ-타입 반도체 박막과 ｎ-타입 산화아연(ＺｎＯ)계나노막대의 이종접합 구조체, 이의 제법 및 이를 이용한소자

본 발명은 산화아연(ZNO)계 P-N 이종접합(HETEROJUNCTION) 구조체, 이의 제법 및 이를 이용한 소자에 관한 것으로서, 본 발명에 따라 P-타입 반도체 박막 위에 N-타입 산화아연계 나노막대를 유기금속 화학증착법(METAL ORGANIC CHEMICAL DEPOSITION, MOCVD)에 의해 수직 방향으로 성장시켜 제조된 P-N 이종접합 구조체는, 발광 다이오드와 같은 반도체 발광소자, 트랜지스터, 광검출 소자, 감지소자 등과 같은 나노 소자 및 이들의 어레이(ARRAY)를 구현하는데 유리하게 이용될 수 있다본 발명의 목적은 상온 및 고온에서 효율이 좋은,새로운 형태의 반도체 발광소자 등에 이용될 수 있는,p-타입 반도체와 n-타입 산화아연계 나노막대의 p-n 이종접합 구조체를 제공하는 것이다.p-타입 반도체 박막 위에 n-타입 산화아연(ZnO)계 나노막대를 유기금속 화학증착법에 의해 수직방향으로 성장시켜 제조된,산화아연계 p-n 이종접합 구조체를 제공한다.또한,본 발명에서는 상기 산화아연계 p-n 이종접합 구조체의 제조방법,및 이를 이용하여 제조된 소자를 제공한다.본 발명은 p-타입 반도체 박막 위에 금속 촉매를 사용하지 않는 유기금속 화학증착법에 의해 n-타입 산화아연계 나노막대를 수직방향으로 성장시킨 p-n 이종접합 구조체를 제공함을 특징으로 한다.