일반기술

금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물 및그 제조 방법

본 발명은 금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 예를 들어 산화아연 반도체 나노막대의 특정 부위에 나노미터 크기의 금속을 선택적으로 증착시키고, 증착된 금속 물질의 일함수와 금속/산화아연의 계면 특성을 적절히 조절해 줌으로써, 접촉저항이 적은 오믹(OHMIC) 전극이나, 정류 특성을 보이는 쇼트키(SCHOTTKY) 전극을 형성시켜 이들 전극을 나노 크기의 쇼트키 다이오드를 포함한 다양한 전자 소자, 광소자 및 이들의 어레이에 적용할 수 있도록 한 금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명은, 금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물에 있어서, 소정의 기재 위에 성장된 반도체 나노막대와; 상기 반도체 나노막대의 소정부위에 증착된 금속;을 포함하고, 상기 나노막대와 상기 금속 사이에서는 일함수 차이와 계면 특성에 따라 접촉 저항이 작은 오믹(OHMIC) 특성 또는 정류특성을 보이는 쇼트키(SCHOTTKY) 특성이 나타나도록 된 것을 특징으로 한다금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물에 있어서, 소정의 기재 위에 성장된 반도체 나노막대;상기 반도체 나노막대의 소정부위에 증착된 금속;을 포함하고, 상기 나노막대와 상기 금속 사이에서는 일함수 차이와 계면 특성에 따라 접촉 저항이 작은 오믹(OHMIC) 특성 또는 정류특성을 보이는 쇼트키(SCHOTTKY) 특성이 나타나도록 되고,상기 반도체 나노막대가 N-타입 반도체로서 상기 금속과 쇼트키 전극을 형성하는 경우, 상기 반도체 나노막대에 증착되는 상기 금속은, 일함수가 상기 반도체 나노막대의 전자 친화도(ELECTRON) 보다 큰 실리사이드 계열 금속이거나 또는 일함수가 상기 반도체 나노막대의 일함수 보다 작은 금속이고,상기 금속이 나노막대의 일함수 보다 작은 금속인 경우, 상기 금속 위에 금(AU) 또는 백금(PT)이 증착되는 것을 특징으로 하는 금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물.