일반기술

자성체/나노소재 이종접합 나노구조체 및 그 제조방법

*원리 및 개요 본 기술은 자성체/나노(‘10억분의 1’을 나타내는 말)소재 이종접합 나노구조체 및 이의 제조방법에 관한 것이다.*중요성 및 독창성기재 위에 수직 내지는 일방향으로 성장된 나노소재에 자성체를 증착시키는 본 기술의 방법에 의하면,나노소재의 선단부에 단일조성의 자성금속, 자성세라믹 또는 다양한 조성의 자성금속 또는 자성세라믹 합금 등의 자성체를 증착시켜 나노사이즈의 자성 소자를 만들 수 있으므로,자기기록매체 등에 활용할 수 있다.본 기술은 기재 위에 수직 또는 한 방향으로 성장된 나노소재의 선단부에 자성체가 균일하게 증착된 자성체/나노소재 이종접합 나노구조체를 제공한다. *특징 및 장점 1) 본 기술에 사용가능한 나노소재는 수직 내지는 한방향으로 성장될 수 있는 것이면 모든 종류의 나노소재가 사용가능하다. 그 예로서, ZnO, GaN, Si, InP, InAs, GaAs, Ge 및 카본나노튜브 등이 사용가능하며,바람직하게는 ZnO, GaN, Si 및 InP 등을 사용할 수 있다.2) 본 기술에 사용가능한 자성체는,철(Fe),코발트(Co),니켈(Ni),망간(Mn),가돌리늄(Gadolinium),또는 이들의 합금,및 페라이트 등을 포함할 수 있으며,바람직하게는 철(Fe),코발트(Co),니켈(Ni)및 이들의 합금을 포함할 수 있다. 3) 본 기술의 자성체/나노소재 이종접합 나노구조체는 규칙적으로 배열되어, 하드 디스크와 같은 다양한 자기 저장 매체에 자성소자로서 이용될 수 있다.4) 본 기술의 나노구조체로 자성소자를 제작할 경우,고밀도화 및 균일화가 가능하여 자성소자의 기능이 매우 우수할 뿐만 아니라, 현재의 저장기록 매체인 자성 박막의 한계를 넘어서 100 Gbit/inch 2이상,나아가서는 테라비트(10 3 Gbit)급 정보기록매체에 획기적인 돌파구를 제공해줄 수 있다