일반기술

반사 억제층을 구비한 갈륨 나이트라이드계 광소자 및 그 제조방법

* 개요 및 목적1) 빛 손실 문제를 해결하여 빛 발산이 향상된 갈륨 나이트라이드계광소자를 제공하고자 한다.2) 빛 발산이 향상되고 공정 수율을 증대시킬 수 있는 갈륨 나이트 라이드계 광소자의 제조방법을 제공한다.3) 갈륨 나이트라이드계 광소자는 반사를 방해하는 층을 만들어 광출력을 높이고, 제조 공정시는 금으로 만들어진 선을 묶을 때 일어날 수 있는 단락에 의한 소자 수율이 떨어지는 것을 막을 수 있다.* 구성 및 특징1) 전기회로가 형성되어 잇는 판에 위에 형성된 n-GaN막과, 2) 이 위에 만들어진 활성층과, 3) 활성층에 형성된 p-GaN막과, 4) n-GaN막 및 p-GaN막 상에 각각 만들어진 n형 전극 및 p형 전극과, 5) 활성층에서 내뿜어진 빛이 반사되지 못하도록 p형 전극 위에 형성된 반사 억제층을 구비6) 반사 억제층은 SiO2층, Si3N4층, 또는 SiOxNy층*효과갈륨 나이트라이드계 광소자는 p-GaN막 상의 p형 전극 위에 반사 억제층을 형성함으로써 광출력을 증가되고, 제조 공정시는 금 와이어 본딩시 일어날 수 있는 단락에 의한 소자 수율 저하를 방지할 수 있다.