일반기술

갈륨나이트라이드계 광소자의 ｐ형 오믹 전극의 제조방법

갈륨 나이트라이드계 광소자 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명은 기판과, 상기 기판 상에 형성된 p형 갈륨나이트라이드층과, 상기 p형 갈륨나이트라이드층 상에 형성된 p형 오믹 전극으로 이루어지되, 상기 p형 오믹 전극은 니켈막, 금막, ITO막이 순차적으로 형성된 삼중막(Ni/Au/ITO막)으로 구성되는 것을 특징으로 한다. 상기 p형 오믹 전극을 구성하는 니켈막 및 금막은 상기 ITO막보다 작은 두께로 구성하는 것이 바람직하다. 본 발명은 갈륨 나이트라이드계 광소자의 p형 오믹 전극으로 Ni/Au/ITO막의 삼중막으로 구성할 경우 Ni/Au막으로 인해 접촉 저항을 낮출 수 있고 투명 전도성 산화물인 ITO막으로 인해 투명성도 높일 수 있고 발광 효율도 높일 수 있다.갈륨 나이트라이드계 광소자 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명은 기판과, 상기 기판 상에 형성된 p형 갈륨나이트라이드층과, 상기 p형 갈륨나이트라이드층 상에 형성된 p형 오믹 전극으로 이루어지되, 상기 p형 오믹 전극은 니켈막, 금막, ITO막이 순차적으로 형성된 삼중막(Ni/Au/ITO막)으로 구성되는 것을 특징으로 하며, 기판 상에 P형 갈륨 나이트라이드층을 형성하는 단계; 상기 P형 갈륨 나이트라이드층 상에 니켈막, 금막 및 ITO막이 순차적으로 적층된 금속막 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 니켈막, 금막 및 ITO막이 순차적으로 적층된 금속막 패턴을 열처리하여 삼중막(NI/AU/ITO막)으로 P형 오믹 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 갈륨 나이트라이드계 광소자의 P형 오믹 전극의 제조방법.