일반기술

탄탈을 포함하는 오믹 전극 및 이를 형성하기 위한 적층구조와 반도체 소자 및 이들의 제조 방법

*원리 및 개요1) 오믹 전극은 AlGaN 화합물 반도체층 위에 Ta막을 형성하고, Ta막 위에 Al막을 포함하는 적층 구조의 금속층(multi-layered metal layer)을 형성하고, Ta막 및 적층 구조의 금속층이 형성된 결과물을 열처리하는 방법에 의하여 형성된다. 2) 본 기술에 따른 오믹 전극에서는 열처리시 생성된 TaN상에 의하여 향상된 오믹 저항치가 얻어진다. 3) 화합물 반도체층 위에 오믹 전극을 형성하기 위한 구조에 있어서, 화합물 반도체층 위에 접하도록 형성된 TA막과, TA막 위에 형성되고, TI막 및 AL막이 순차 적층된 이중충으로 이루어지는 AL 함유 금속층을 포함한다.*특징 및 장점1) 본 기술에 따른 오믹 전극은 Ta막과, 그 위에 형성된 적층 구조의 금속막으로부터 얻어진다. 2) Ta막 및 적층 구조의 금속막을 열처리함으로써 오믹 특성의 향상에 기여하는 TaN상이 형성되어 오믹 저항치를 향상시킬 수 있다. 3) 본 기술에 따른 오믹 전극은 종래 기술에 따른 오믹 전극 구조 비하여 뛰어난 열적 안정성을 가지며, 우수한 표면 특성을 갖는다. 4) 본 기술에 따른 반도체 소자는 오믹 전극 을 형성하기 위한 오믹 재료로서 Ta막을 사용함으로써 오믹 저항치가 향상될 수 있으며, 열적 안정성이 우수하다. 또한, 표면 특성이 우수한 오믹 전극을 갖춤으로써 소자의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.