일반기술

갈륨나이트라이드계 반도체를 이용한 자외선 검출 소자의 제조방법

*원리 및 개요1) 광소자의 오믹 전극 및 그 제조방법에 관한 것이다. 2) 갈륨나이트라이드계(GaN based) 광소자의 p형 오믹 전극 및 그 제조방법에 관한 것이다.3) 이리듐(주기율표 제8족에 속하는 백금족원소) 산화막 또는 루테늄(주기율표 제8족에 속하는 백금족원소의 하나) 산화막을 갈륨나이트라이드계 자외선 검출 전기기기나 소자의 쇼트키 맞붙는 층이 된다.4) 이렇게 이리듐 산화막 또는 루테늄 산화막을 쇼트키 접합층으로 사용한 갈륨나이트라이드계 자외선 검출 소자는 광학적 투과도가 높아 양자 효율이 높아짐으로 반응도가 향상된다.5) 갈륨나이트라이드계 흡수층과의 경계를 이루는 면에서 형성되는 쇼트키 장벽 높이가 높아 반응도와 반응 속도가 향상되며 잡음을 감소시킬 수 있다. 6) 기본이 되는 판의 위에 형성된 갈륨나이트라이드계 광흡수층은 이 위에서 쇼트키와 접합되고, 이리듐 산화막 또는 루테늄 산화막으로 이루어진 쇼트키 접합층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 자외선 검출 소자이다.-쇼트키: 열전자 방출에서 양극의 전위를 높이면 전류가 완전히 포화되지 않고 조금씩 증가 -양자 효율(quantum efficiency) : 물질 중에서 광자 또는 전자가 다른 에너지의 광자 또는 전자로 변환되는 비율*특징 및 장점1) 기본이 되는 판의 윗부분에 형성된 n형 또는 p형의 GaN계 III-V족 화합물 반도체층과, 이 층 윗 부분에 형성된 p형 GaN계 III-V족 화합물 반도체층과 이 위에 형성된다. 2) 팔라듐(Pd)함유층과 니켈(Ni)함유층이 순차적으로 쌓여서 이루어지고, 패턴화된 오믹 전극을 포함하여 된 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 III-V족 화합물 반도체 소자를 제공한다.3) 낮은 접촉 저항을 가지면서 빛의 투과도가 뛰어나며 열적으로도 안정한 갈륨나이트라이드계(GaN based) 광소자의 p형 오믹 전극을 제공한다.