일반기술

갈륨나이트라이드계 광소자의 Ｐ형 오믹 전극 및 그 제조방법

* 배경일반적으로, 갈륨나이트라이드 발광소자에서 p형 오믹 전극은 금막(Au) 상에 니켈막(Ni)을 적층하여 형성한 니켈막(Ni)/금막(Au)을 주로 사용한다. 열처리 후 오믹 전극의 접촉 저항이 약10 -4 Ωcm 2 으로 낮으며, 니켈층이 투명한 니켈산화층(NiO)으로 바뀌게 되어 빛을 쉽게 통과시킬 수 있고 금층(Au)은 전극의 측면 전도도를 증가시킨다. 두께가 10nm의 니켈막/금막 오믹 전극은 300∼500 nm 영역의 빛에 대한 투명도가 약 80%로 뛰어나다. 하지만 니켈막/금막 오믹 전극은 오믹 형성을 위한 고온 열처리시 금(Au)의 내부확산으로 인해 접촉특성이 저하되어 열적 안정성이 좋지 못하고 금층의 측면 분포 또한 균일하지 못하다는 단점이 있다.* 개요 및 목적본 기술은 낮은 접촉 저항을 가지면서 빛의 투과도가 뛰어나며 열적으로도 안정한 갈륨나이트라이드계(GaN based) 광소자의 p형 오믹 전극을 제공하고 제조하였다.*특징기판상에 형성된 P형 갈륨나이트라이드층과 이 사이에 형성된 P형 오믹 전극으로 이루어지되, 이는 루테늄 산화막, 이리듐 산화막 또는 오스미움 산화막으로 구성하는 것을 특징으로 하는 갈륨나이트라이드계 광소자이다.* 효과갈륨나이트라이드계 광소자의 p형 오믹 전극 및 그 제조방법을 제공한다. 본 기술의 갈륨나이트라이드계 광소자의 p형 오믹 전극은 루테늄막, 이리듐막, 오스미움막과 같은 루타일 구조로 변화되는 금속막 또는 이들의 산화막을 이용하거나, 루테늄막을 기초층으로 하고 루테늄막 상에 니켈막, ITO막 또는 AgO막을 형성한 이중막으로 생긴다. 이렇게 생긴 갈륨나이트라이드계 광소자의 p형 오믹 전극은 p형 갈륨나이트라이드층과 낮은 접촉 저항을 가지면서도 빛의 투과도가 뛰어나며 열적으로도 안정하다.