일반기술

아연이 첨가된 산화마그네슘 박막 및 이의 제조방법

*원리 및 개요 산화마그네슘(MgO) 박막 성장시 아연을 첨가함으로써 제조된 박막에 관한 것이다. *중요성 및 독창성 Mgo 박막의 제조시 산화아연 상이 분리되지 않는 범위내로 아연을 첨가함으로써 산화마그네슘의 결정을 그대로 유지하면서, 결정성 및 표면 미세구조가 향상되고, 표면 거칠기가 매우 적은 본 기술의 산화마그네슘 박막은 다양한 광 소자(전기 기기(電氣機器)나 회로 따위를 구성하는 단위 부품) 및 전자 소자에 사용될 수 있다.*특징 및 장점1) 산화마그네슘 박막의 성장시 아연을 고용시킴으로써 제조된 산화마그네슘 박막을 제공한다.2) 산화마그네슘 박막 성장시에 첨가되는 아연의 함량은 산화아연(ZnO)상이 분리되지 않는 범위내에서 첨가되며, 대략 0 내지 20 몰%미만의 범위일 수 있다. 3) 아연이 첨가된 산화마그네슘 박막은 MgO의 결정 구조를 그대로 유지할 수 있다. 4) 아연이 첨가된 산화마그네슘계 박막은 특정의 박막 성장 방법에 국한되지 않고,스퍼터링,열 또는 전자 빔 증착과 같은 물리적 증착법,또는 유기금속 화학 증착과 같은 화학적 증착법을 사용하여 제조될 수 있다. 5) 형성된 산화마그네슘계 박막은 아연이 첨가됨에 따라 결정성이 뚜렷이 향상되며,또한 표면 거칠기가 감소하는 등 표면 미세구조도 매우 우수하므로,다양한 광 소자 및 전자 소자에 효율적으로 사용될 수 있다.6) 아연을 고용시켜 산화마그네슘 박막의 결정성 및 미세 구조를 향상시키는 방법은 산화마그네슘 박막뿐만 아니라 이와 유사한 결정 구조를 가지는 다른 물질의 박막에도 적용할 수 있다.