일반기술

스퍼터링증착법을 이용한 산화아연막의 제조방법

본 발명은 진공조의 내부에 ZnO타깃과, 상기 ZnO 타깃으로부터 이격되어 대향하도록 배열된 사파이어 기판을 구비한 플라즈마를 발생시키는 스퍼터링 장치를 이용하여, ZnO막을 형성하는 방법을 제공한다. ZnO타깃을 제공하여 스퍼터링장치내에 사용가스에 노출시키는 단계; 적어도 하나의 반응성가스를 상기 스퍼터링장치에 공급하는 단계; 전원을 상기 스퍼터링장치에 공급하여 플라즈마를 형성하는 단계; 상기 플라즈마의 작용에 의하여 25∼350℃온도에서 사파이어 기판상에 ZnO막을 1∼200Å두께로 증착하는 단계; 및 상기 증착단계이후에 기판의 온도를 400∼700℃로 상승시킨 후 상기 1차 ZnO막위에 ZnO막을 1Å~5㎛ 의 두께로 증착하는 단계를 포함한다.진공조의 내부에 ZnO타깃과, 상기 ZnO 타깃으로부터 이격되어 대향하도록 배열된 사파이어 기판을 구비한 플라즈마를 발생시키는 스퍼터링 장치를 이용하여, 상기 사파이어 기판에 ZnO막을 형성하는 방법으로서: 상기 사파이어 기판의 온도를 25∼350℃로 유지하면서 상기 사파이어 기판 상에 2차원 성장된 1차 ZnO막을 형성하는 저온 증착 단계; 및 상기 사파이어 기판의 온도를 400∼700℃로 상승시킨 후 상기 1차 ZnO막 상에 2차 ZnO막을 형성하는 고온 증착 단계를 포함하는 스퍼터링증착법을 이용한 ZnO막의 제조방법