일반기술

일산화탄소 가스를 선택적으로 감지하는 방법

본 발명은 일산화탄소(CO) 가스에 대한 감지선택성이 우수한 반도체식 가스센서 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따라 감지재료로서 CuO가 첨가된 Zn2SnO4를 사용하면 일산화탄소 가스에 대해 비교적 저온 범위에서도 선택성이 뛰어난 가스 센서를 얻을 수 있다. 또한, 본 발명에 따라 상기 감지재료에 대해 SnO2 또는 ZnO를 전극으로 사용하거나 혼합하여 사용하여도 일산화탄소 가스에 대한 감도와 선택성이 우수한 센서를 얻을 수 있다.0.001 내지 20 몰％의 CUO가 함침된 ZN2SNO4/SNO2 적층 소결체 또는 ZN2SNO4/ZNO 적층 소결체를 가스감응층으로 하는 가스센서를 150℃ 내지 350℃에서 작동시켜 일산화탄소 가스를 선택적으로 감지하는 방법기존의 반도체식 가스센서의 감지물질의 선택적 감응성 부족의 문제점을 해결하고자,특히 CO 가스를 선택적으로 감지할 수 있는 방법을 개발하는데 그 목적이 있다.상기 목적을 달성하기 위해,본 발명에서는 0.001 내지 20 몰％의 CuO를 함유하는 Zn 2 SnO 4 를 가스감응층으로 하는 가스센서를 150 ℃내지 350 ℃에서 작동시켜 일산화탄소 가스를 선택적으로 감지하는 방법을 제공한다.본 발명에서는 또한,일산화탄소 가스 감지재료로부터 일산화탄소 가스 감응층을 형성하고 그의 양쪽 측면에 양극과 음극을 적층하여 일산화탄소 가스 센서를 제조하는 방법에 있어서,상기 가스감응층을,ZnO 분말과 SnO 2 분말의 2:1 몰비의 혼합물을 건조,열처리 및 성형하여 얻어진 Zn 2 SnO 4 소결체에 0.001 내지 20 몰%범위의 양의 CuO를 첨가시킨 후 열처리함으로써 형성하는 것을 특징으로 하는,일산화탄소 가스 센서의 제조방법을 제공한다.또한,본 발명은,감지능을 향상시키기 위하여,상기 가스감응층에 적층되는 전극으로서 ZnO 또는 SnO 2 와 같이 전도성이 우수한 산화물을 사용하는 것을 특징으로 하는 일산화탄소 가스 센서의 제조방법을 제공한다.또한,본 발명에서는,상기 가스감응층 형성시 ZnO 또는 SnO 2 를 과량으로 혼합하여 사용하는 것을 특징으로 하는 일산화탄소 가스 센서의 제조방법을 제공한다