일반기술

저온 팔라듐/게르마늄 옴 전극을 이용한 자기정렬 게이트 트랜지스터 소자의 제조방법

*원리 및 개요 본 기술은 저온 Pd/Ge 옴 전극을 이용한 자기 정렬 게이트(self-aligned gate) 트랜지스터 반도체 소자의 제조방법에 관한 것이다. * 중요성 및 독창성GaAs 또는 InP 층을 포함하는 기판을 갖는 트랜지스터 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 게이트 전극 제작 후, Pd와 Ge를 차례로 증착하고 열처리하여 옴 전극을 제작하는 것을 특징으로 하는 본 기술의 방법에 따르면 보다 미세한 패턴으로 자기 정렬 게이트 전극을 제작할 수 있다.* 특징 및 장점1) 소자 분리를 위한 메사 에칭 공정을 실시하는 단계와 게이트 패턴을 형성시키고 게이트 리쎄스 에칭(단면적을 늘리는 것)을 한 후, Ti, Pt, Au를 차례로 증착하여 게이트 전극을 형성시키는 단계 2) Pd와 Ge를 차례로 증착시킨 후 열처리하여 소오드-드레인 옴 전극을 제작하는 단계를 차례로 포함하는 것을 특징으로 한다.*효과1) 전극 형성 전에 게이트 전극을 형성함으로써 보다 미세한 패턴으로 자가 정렬된 게이트 전극을 갖는 PHEMT 반도체 소자를 제조할 수 있다.2) 본 기술의 PHEMT 소자는 접촉저항 및 주파수 특성이 향상되어 통신용 소자 등에 유용하게 사용될 수 있다.