일반기술

갈륨나이트라이드계 광소자의 ｐ형 오믹 전극의 제조방법

원리 및 구성본 기술은 갈륨 나이트라이드계 광소자 및 그 제조방법을 제공한다. 본 기술은 기판과, 상기 기판 상에 형성된 p형 갈륨나이트라이드층과 p형 오믹 전극으로 이루어진다. p형 오믹 전극은 니켈막,금막, ITO막이 순차적으로 형성된 삼중막(Ni/Au/ITO막)으로 구성되어진다. 개발배경p형 오믹 전극으로 니켈막/금막을 사용한다 하더라도 p형 GaN층 자체가 높은 저항을 지니고 있어서 여전히 접촉저항은 높고 p형 오믹 전극에서 나오는 전류가 p형 GaN층에 효과적으로 퍼지지를 못한다. 이러한 전류 퍼짐 효과(current-spreading effect)를 증대시키기 위해서 p형 오믹 전극 자체를 손가락 모양으로 제작하여 사용하기도 하지만 이런 경우 빛이 감소되는 결과를 낳는다. 더하여, 니켈막/금막 오믹 전극은 오믹 형성을 위한 고온 열처리시 금(Au)의 내부확산으로 인해 접촉 특성이 저하되어 열적 안정성이 좋지 못하고 금층의 측면 분포 또한 균일하지 못하다는 단점이 있다.응용분야낮은 접촉 저항을 가지면서 빛의 투과도가 뛰어나 발광 효율이 증가된 갈륨 나이트라이드계(GaN based) 광소자의 p형 오믹 전극의 제조방법을 제공한다. 또한 광소자가 필요한 기타 산업에도 유용하게 적용 가능하다특징 및 장점Ni/Au막으로 인해 접촉 저항을 낮출 수 있고 투명 전도성 산화물인 ITO막으로 인해 투명성도 높일 수 있고 발광 효율도 높일 수 있다. 측면분포가 균일하다. 열적 안정성이 높다.