일반기술

망간이 도핑된 산화아연계 강자성 물질 및 그 제조방법

본 발명은 망간이 도핑된 강자성 산화아연 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 산화아연 박막의 성장시 망간을 첨가함으로써 강자성을 갖게 되는 산화아연과 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명은 결과물중 금속의 총몰수를 기준으로 망간(Mn)이 0.01∼50 몰%가 되도록 산화아연에 망간이 고용된 것을 특징으로 하는 산화아연계 강자성 물질을 제공한다. 본 발명에 따른, 망간(Mn)이 도핑된 산화아연은 성장시 적정량의, 즉 산화망간 상이 분리되지 않을 정도의 망간(Mn)을 첨가함으로써, 강자성을 띄는 반도체 물질을 합성하여 다양한 광소자 및 전자 소자에 효율적으로 사용될 수 있다.망간이 첨가된 산화아연에서는 강자성 현상이 보고된 바 없었으나 본 연구에서 신규하게 망간(Mn)을 산화아연에 첨가함으로써 강자성 현상을 보이는 산화아연을 발명하였으며 이러한 기술을 토대로 반도체의 강자성을 이용하는 모든 소자에 응용이 가능하다. 망간이 첨가된 산화아면의 박막 발명 및 제조 기술과 특성 연구는 DMS(Diluted Magnetic Semiconductor) 소자 제조를 위한 기술적 기반 확보에도 크게 기여할 것이다. 이러한 연구 개발에 따른 재료 공정 기술 개발과 전자 구조 설계를 통한 기초적 연구 수행은 현재 선진국의 DMS 소자 개발 기술과의 차이를 줄일 수 있으며, 향후 보다 효율이 높은 DMS 소자 및 상온에서 전자나 홀의 스핀을 이용하는 새로운 소자를 개발하는데 상당히 기여하리라 예상된다. 또한 이는 고밀도 정보 저장뿐만 아니라 양자 연산 및 송수신이 가능하게 되어 양자 컴퓨터 제작의 토대가 되리라 기대된다.