일반기술

반사 억제층을 구비한 갈륨 나이트라이드계 광소자 및 그 제조방법

갈륨 나이트라이드계 광소자 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명은 기판 상에 형성된 n-GaN막과, 상기 n-GaN막 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p-GaN막과, 상기 n-GaN막 및 p-GaN막 상에 각각 형성되어 있는 n형전극 및 p형 전극과, 상기 활성층에서 발산된 빛이 반사되지 못하도록 상기 p형 전극 상에 형성된 반사 억제층을 구비하여 이루어진다. 상기 반사 억제층은 SiO 2 층, Si 3 N 4 층, 또는 SiO x N y 층으로 구성될 수 있다. 본 발명의 갈륨 나이트라이드계 광소자는 반사 억제층을 형성하여 광출력을 증가시키고 제조 공정시는 금 와이어 본딩시 일어날 수 있는 단락에 의한 소자 수율 저하를 방지할 수 있다.본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 빛 손실 문제를 해결하여 빛 발산이 향상된 갈륨 나이트라이드계 광소자를 제공하는 데 있다. 또한, 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 빛 발산이 향상되고 공정 수율을 증대시킬 수 있는 갈륨 나이트라이드계 광소자의 제조방법을 제공하는 데 있다. 본 발명은 갈륨 나이트라이드계 광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반사 억제층을 구비한 갈륨나이트라이드계 광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 갈륨 나이트라이드(GaN)는 3.4eV의 밴드갭(band gap)을 가지며, 그 위에 기판과 정합성이 양호한 InGaN와 AlGaN의 성장이 용이하여 광소자의 재료로 활발히 연구되고 있다. GaN, InGaN 또는 AlGaN의 화합물 반도체를 이용한 갈륨 나이트라이드계 광소자, 예컨대 갈륨 나이트라이드계 발광 소자는 청색빛 파장 영역의 빛을 효과적으로 발하고 기존의 광소자에 비해 매우 큰 광출력을 나타내는 이점을 지니고 있다. 특히, 청색빛은 적색빛 보다 파장이 짧기 때문에 보다 더 큰 파장의 빛으로 쉽게 전환될 수 있어 갈륨 나이트라이드계 발광소자는 백색 발광소자로서 큰 기대를 모으고 있다.