일반기술

상온에서 강자성 및 강유전성을 동시에 가지는 층상페롭스카이트 물질 및 이를 포함하는 전자장치

*원리 및 구성상온에서 강자성 및 강유전성을 동시에 가지는 물질 및 이를 포함하는 전자장치에 관한 것으로, 하기 화학식 (1) 또는 (2)로 나타내어지는 상온에서 강자성 및 강유전성을 동시에 가지고 층상 페롭스카이트 구조를 가지는 물질을 제공한다:Bi 4-x R x Ti 3 O 12 (1)Bi 4-x R x Ti 3-y T y O 12 (2)상기 식에서 R 은 Nd, Gd, Pr, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, La 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 희토류 금속이고, T는 Co, Ni, Fe, Mn, W, V, Nb, Mo, Ta, Zr 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 전이금속이고, x= 0.1 ∼ 3이고, y = 0.001 ∼ 3 이다.*개발배경상온에서 강자성 및 강유전성을 동시에 가지는 물질 및 이를 포함하는 전자장치를 제공하는 것이다.*중요성 및 독창성비스무스 (Bi), 희토류 금속 (R = Nd, Gd, Pr, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, La 및 이들의 혼합물), 티타늄 및 선택적으로 전이금속 (T = Ti, Co, Ni, Fe, Mn, W, V, Nb, Mo, Ta, Zr 및 이들의 혼합물)을 함유하고 층상 페롭스카이트 구조를 가지는 Bi 4-x R x Ti 3-y T y O 12 (x = 0.1 ∼ 3, y = 0.001 ∼ 3)로 상온 강자성 및 강유전성을 동시에 가지는 특징을 가지고 있다.*응용분야본 기술은 스핀트로닉 장치, 초고속 정보 저장 장치, 마그네틱-일렉트릭 센서, 마그네틱 센서, 일렉트릭센서, 광전자 장치, 마이크로웨이브 전자 장치, 트랜스듀서 등의 각종 전자장치에 활용할 수 있다.*특징 및 장점-비스무스 (Bi), 희토류 금속 (R = Nd, Gd, Pr, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, La 및 이들의 혼합물), 티타늄 및 선택적으로 전이금속 (T = Ti, Co, Ni, Fe, Mn, W, V, Nb, Mo, Ta, Zr 및 이들의 혼합물)을 함유하고 층상 페롭스카이트 구조를 가지는 Bi 4-x R x Ti 3-y T y O 12 (x = 0.1 ∼ 3, y = 0.001 ∼ 3)로 상온 강자성 및 강유전성을 동시에 가지는 효과를 가지고 있다.